16MB ： 1 MEG X16
EDO DRAM
电容
（注： 1 ， 2 ， 3 ， 5 ， 8 ，注意事项出现在10-11页）
参数
输入电容：地址
输入电容： RAS ＃ ， CASL ＃ ， CASH ＃ ， WE＃ ， OE ＃
输入/输出电容： DQ
符号最大值单位备注
C
I
1
C
I
2
C
IO
5
7
7
pF
pF
pF
AC电气特性
（注：2 ， 3 ， 9 ， 10 ， 11 ， 12 ;注释出现在10-11页） ; （V
CC
[分钟]
£
V
CC
£
V
CC
[MAX] ）
AC特性
参数
从列地址访问时间
列地址设置到CAS ＃预充电
列地址保持时间（参考RAS ＃ ）
列地址设置时间
行地址建立时间
列地址WE＃延迟时间
从CAS ＃访问时间
列地址保持时间
CAS ＃脉冲宽度
CAS ＃低到时自刷新“无关”
CAS ＃保持时间（ CBR刷新）
最后CAS＃变低，首先CAS ＃返回高
CAS在低Z ＃输出
接下来CAS ＃低后数据输出保持
CAS ＃预充电时间
从CAS＃预充电时间访问
CAS ＃到＃ RAS预充电时间
CAS ＃保持时间
CAS ＃建立时间（ CBR刷新）
CAS ＃为WE＃延迟时间
写命令CAS ＃交货时间
数据保持时间
数据的建立时间
输出禁用
OUTPUT ENABLE
从WE＃在OE ＃保持时间
读 - 修改 - 写周期
从CAS ＃高OE ＃高保持
OE ＃高脉冲宽度
OE ＃低到CAS ＃高的建立时间
输出缓冲关断延迟
-5
符号
t
AA
t
ACH
t
AR
t
ASC
t
ASR
t
AWD
t
CAC
t
CAH
t
CAS
t
CHD
t
CHR
t
CLCH
t
CLZ
t
COH
t
CP
t
注册会计师
t
CRP
t
CSH
t
企业社会责任
t
CWD
t
CWL
t
DH
t
DS
t
OD
t
OE
t
OEH
t
OEHC
t
OEP
t
OES
t
关闭
-6
最大
25
民
15
45
0
0
49
13
15
10
10
15
10
5
0
3
10
5
45
5
35
10
10
0
0
10
10
5
5
0
10,000
最大
30
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
笔记
民
12
38
0
0
42
8
8
15
8
5
0
3
8
5
38
5
28
8
8
0
0
8
5
5
4
0
10,000
25
25
13
14, 25
25
27
7, 26
28
26
15, 30
26
26
26
7, 25
13, 25
26
16, 25
16, 25
17
18
18
28
35
12
12
15
15
12
15
20, 26
1梅格×16 EDO DRAM
D52_B.p65 - 版本B ;酒馆。 3/01
8
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