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MT4LC1M16E5TG-5 参数 Datasheet PDF下载

MT4LC1M16E5TG-5图片预览
型号: MT4LC1M16E5TG-5
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内容描述: EDO DRAM [EDO DRAM]
分类和应用: 内存集成电路光电二极管动态存储器
文件页数/大小: 24 页 / 384 K
品牌: MICRON [ MICRON TECHNOLOGY ]
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16MB : 1 MEG X16
EDO DRAM
绝对最大额定值*
在V电压
CC
引脚相对于V
SS
3.3V ................................................ ......... -1V至+ 4.6V
5V ................................................. .............. -1V至+ 7V
电压NC ,输入或I / O引脚相对于Vss :
3.3V ................................................ ......... -1V至+ 5.5V
5V ................................................. .............. -1V至+ 7V
工作温度
T
A
(商业) ................................. 0°C至+ 70°C
T
A
(扩展) ................................... -20ºC至+ 80ºC
存储温度(塑料) ........... -55 ° C至+ 150°C
功耗................................................ 1W ........
短路输出电流................................ 50毫安
*应力大于“绝对在列
最大额定值“,可能会造成永久性损坏
该设备。这是一个额定值只和功能
该器件在这些或任何其他条件操作
超过上述的业务部门所标明
本规范是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会
影响可靠性。
DC电气特性和操作条件
(注: 1 ;注释出现在10-11页)
参数/条件
电源电压
输入高电压:
有效的逻辑1 ;所有的输入, I / O和任何NC
输入电压低:
有效的逻辑0 ;所有的输入, I / O和任何NC
输入漏电流:
任何输入在V
IN
(0V
£
V
IN
£
V
IH
[MAX] ) ;
所有其它引脚不被测= 0V
输出高电压:
I
OUT
= -2mA ( 3.3V ) , -5mA ( 5V )
输出低电压:
I
OUT
= 2毫安( 3.3V ) , 4.2毫安( 5V )
输出漏电流:
在V任何输出
OUT
(0V
£
V
OUT
£
5.5V);
DQ被禁用,在高阻态
符号
V
CC
V
IH
V
IL
I
I
3.3V
最大
3.0
2.0
-1.0
-2
3.6
5.5
0.8
2
5V
4.5
2.4
-0.5
-2
最大
5.5
V
CC
+ 1
0.8
2
单位备注
V
V
V
µA
4
V
OH
V
OL
I
OZ
2.4
-5
0.4
5
2.4
-5
0.4
5
V
V
µA
1梅格×16 EDO DRAM
D52_B.p65 - 版本B ;酒馆。 3/01
6
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