256MB和512MB （256 / 256MB ） ， P30-65nm
设备的命令代码
设备的命令代码
系统CPU提供所有在系统读取控制，写和擦除操作
通过系统总线的设备的。该设备管理所有的块擦除和字编程
算法。
设备命令写入命令的用户界面（CUI ）来控制所有的闪存
存储器设备的操作。崔不占用可寻址的内存位置;
它是通过它的闪存设备进行控制的机制。
注意：
也为512MB （ 256MB / 256MB的）设备，应重新发布的所有设置命令
到该设备时，不同的管芯被选择。
表10 ：命令码和定义
模式
读
CODE
0xFF
0x70
DEVICE模式
读阵列
描述
将器件置于读阵列模式。阵列的数据输出
DQ [15：0 ] 。
读状态寄存器时，器件进入读状态寄存器模式。该器件进入这个
一个程序后模式或擦除命令发出。状态寄存器的数据
是DQ输出[ 7 ： 0 ] 。
读取设备ID或
读取配置
寄存器（ RCR ）
读取CFI
在读取设备识别码模式将设备。后续读取输出
制造商/设备代码，配置寄存器数据块锁
在DQ的状态，或者保护寄存器数据[ 15 ： 0 ] 。
将器件置于读取CFI模式。后续读取输出共
上的DQ闪存接口信息[7：0 ] 。
0x90
0x98
0x50
写
0x40
清除状态寄存器设备设置状态寄存器错误位。清除状态寄存器的COM
命令是用来清除SR错误位。
Word程序设置双周期编程命令的第一个周期;准备在崔的
WRITE操作。在下一个写周期，地址和数据
锁存和设备在AD-执行规划算法
身着位置。在程序操作，该设备只响应
到读状态寄存器和程序挂起的命令。 CE ＃或OE ＃
必须切换到更新异步读取状态寄存器。
CE ＃或ADV ＃必须切换到更新状态寄存器数据
同步非阵列读取。必须发出读阵列命令
后编程已经完成读取阵列的数据。
缓冲程序
缓冲程序
CON连接RM
此命令加载一个可变数目的单词的最多的缓冲区大小
512字到程序的缓冲区。
确认指令流写入IN-数据后发出
到缓冲完成。该设备然后执行缓冲亲
克算法，从所述缓冲器中的数据写入到闪存存储器
数组。
双周期指令的第一个周期;启动缓冲增强工厂
程序模式（ BEFP ） 。崔然后等待BEFP CONFIRM的COM
普通话， 0xD0 ，即启动BEFP算法。所有其他命令
被忽略的时候BEFP模式开始。
如果前面的命令是BEFP设置（ 0x80的） ，崔锁存AD-
穿着和数据，并准备装置BEFP模式。
0xE8
0xD0
0x80
BEFP设置
0xD0
BEFP确认
PDF ： 09005aef84566799
p30_65nm_256Mb - 512mb.pdf - 版本A 1/13 EN
25
美光科技公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
©
2013美光科技公司保留所有权利。
MICRON [ MICRON TECHNOLOGY ]
