256MB和512MB （256 / 256MB ） ， P30-65nm
信号的
表7 ： TSOP和BGA简易信号说明（续）
符号
V
PP
TYPE
名称和功能
电源/输入
擦除和编程POWER：
该引脚上的有效电压允许擦除或编程。
存储器的内容不能被改变时， V
PP
≤
V
PPLK
。块擦除和编程，在无效
V
PP
电压不应该尝试。
集V
PP
= V
PPL
在系统编程和擦除操作。为了适应电阻或
从系统电源，V二极管压降
IH
第五级
PP
可以低的V
PPL ，分
. V
PP
必须
仍高于V
PPL ，分
进行在系统闪存修改。 V
PP
可能是0V时读
操作。
V
PPH
可以适用于主块1000次最大，并为参数块
2500个周期。 V
PP
可以连接到9V为累计不超过80小时。 EX-
在9V倾向于使用这种针可以减少块循环能力。
动力
动力
动力
—
—
—
设备核心供电：
核心（逻辑）电源电压。写入到闪存阵列在 -
禁止的当V
CC
≤
V
LKO
。在操作无效V
CC
电压不应该尝试。
输出电源：
输出驱动器电源电压。
地面：
连接到系统地。不浮动的任何V
SS
连接。
保留供以后使用：
美光为未来的设备功能和恩保留
hancement 。这些应该以同样的方式为不使用（ DNU ）的信号进行处理。
不要使用：
不要连接到任何其它信号或电源;必须悬空。
无连接：
无内部连接;可以驱动或浮置。
V
CC
V
CCQ
V
SS
俄罗斯足协
DU
NC
表8 ： QUAD + SCSP信号说明
符号
A [最大： 0 ]
TYPE
输入
名称和功能
地址输入：
器件地址输入。 256MB ： A [ 23 ： 0 ] ; 512MB ： A [ 24 ： 0 ] 。
注意：
虚拟
选择在双模具的512Mb配置的256Mb的顶端参数模具是accom-
通过设置A24 HIGH （V plished
IH
).
注意：
地址引脚未使用的设计不应该被悬空;他们绑到V
CCQ
or
V
SS
根据具体的设计要求。
DQ [15：0 ]
输入/输出
数据输入/输出：
输入在写周期的数据和命令;在输出数据
内存，状态寄存器，寄存器的保护，并读取配置寄存器中读取。数据
球漂浮在CE ＃或OE ＃被拉高。数据在写入内部锁存。
输入
地址有效：
低电平有效输入。在同步读操作，地址是
锁存ADV ＃的上升沿，或者在与ADV ＃低的下一个有效CLK的边缘，而─
先出现。
在异步模式中，地址是当ADV ＃变为高电平或连续地流动锁存
如果通过ADV ＃为低。
注意：
不使用ADV ＃的设计必须配合其到V
SS
允许地址流过。
Flash芯片使能：
低电平有效输入。 CE＃低电平选择相关的闪存芯片。
当认定时，闪烁的内部控制逻辑，输入缓冲器，解码器和读出放大器
是活动的。当解除断言，相关联的闪光灯管芯被取消选择，功率减小到
待机水平，数据和等待输出均处于高阻状态。
注意：
芯片使能必须被驱动为高时，设备没有被使用。
ADV ＃
F1-CE#
输入
PDF ： 09005aef84566799
p30_65nm_256Mb - 512mb.pdf - 版本A 1/13 EN
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