256MB和512MB （256 / 256MB ） ， P30-65nm
电源和复位规格
图26 ：复位操作波形
t
PLPH
t
PHQV
（ a）在复位
读取模式
RST ＃
V
IH
V
IL
t
PLRH
（ b）在复位
程序或块擦除
P1
≤
P2
（ c）在复位
程序或块擦除
P1
≥
P2
（四）V
CC
电到
RST ＃高
RST ＃
V
IH
V
IL
t
PLRH
退出
完整
t
PHQV
RST ＃
V
IH
V
IL
退出
完整
t
PHQV
t
VCCPH
V
CC
V
CC
0V
电源去耦
该装置需要仔细电源去耦。三种基本电源电流
租用的考虑是：1）待机电流水平，2）的有功电流的水平，和3）跃迁
生产耳鼻喉科高峰时， CE ＃和OE ＃断言和失效。
当被访问的设备，内部条件的改变。该设备ENA-内电路
BLE电荷泵和内部逻辑状态的高速变化。这些内部的ACTIVITIES
关系产生的瞬态信号。瞬态电流大小取决于设备输出
看跌期权“容性和感性负载。两线控制和正确的去耦capac-
itor选择抑制瞬态电压尖峰。
由于该设备获得电源从V
CC
, V
PP
和V
CCQ
每个电源连接
应该有一个0.1μF和0.01μF的陶瓷电容到地。高频率， inher-
ently低电感电容应尽可能靠近封装引线。
此外，在系统中使用的每八个器件，一个4.7μF电解电容器
应置于电源和地接近装置之间。大容量电容器是
为了克服由于PCB走线电感电压降。
PDF ： 09005aef84566799
p30_65nm_MLC_256Mb - 512mb.pdf - 版本C 12/13 EN
78
美光科技公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
©
2013美光科技公司保留所有权利。
MICRON [ MICRON TECHNOLOGY ]
