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PC28F256P30BFA 参数 Datasheet PDF下载

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型号: PC28F256P30BFA
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内容描述: 美光并行NOR闪存的嵌入式存储器( P30-65nm ) [Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P30-65nm)]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路
文件页数/大小: 98 页 / 1366 K
品牌: MICRON [ MICRON TECHNOLOGY ]
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256MB和512MB (256 / 256MB ) , P30-65nm
AC测试条件和电容
AC测试条件和电容
图27 : AC输入/输出时序参考
V
CCQ
输入V
CCQ
/2
0V
测试点
V
CCQ
/ 2输出
注意:
1. AC测试输入在V驱动
CCQ
为逻辑1,在0V为逻辑0输入/输出时序
开始/结束在V
CCQ
/ 2 。输入上升和下降时间( 10 %至90 %) <5ns 。最坏情况下的速度OC-
小人在V
CC
= V
CC
(最小值) 。
图28 :瞬态等效负载电路
设备下
TEST
C
L
注意事项:
OUT
1.请参阅测试配置为最差情况下的速度条件下表中的元件值。
2,CL包括夹具电容。
表42 :测试配置:最坏情况下的转速条件
测试配置
V
CCQ
( MIN)的标准测试
C
L
(PF )
30
图29 :时钟输入AC波形
t
CLK
CLK
V
IH
V
IL
t
CH / CL
t
FCLK / RCLK
PDF : 09005aef84566799
p30_65nm_MLC_256Mb - 512mb.pdf - 版本C 12/13 EN
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