256MB和512MB (256 / 256MB ) , P30-65nm
DC电气规格
表40 :直流电流特性(续)
CMOS输入
(V
CCQ
= 1.7–
3.6V)
参数
V
PP
BLANK CHECK
注意事项:
符号
I
PPBC
典型值
0.05
0.05
最大
0.1
0.1
TTL输入
(V
CCQ
= 2.4–
3.6V)
典型值
0.05
0.05
最大
0.1
0.1
单位测试条件
毫安V
PP
= V
PPL
V
PP
= V
PPH
笔记
3
1.所有电流有效值,除非另有说明。在TYP V典型值
CC
, T
C
= +25°C.
2. I
CCS
测量是在任何5ms的时间间隔为5μs的平均电流后, CE#被取消的断言
特德。
3.采样,而不是100 %测试。
4. I
CCES
指定与取消选择该设备。如果设备被读取,而在擦除暂停,电流
房租是我
CCES
再加上我
CCR
.
5. I
CCW
, I
CCE
在编程和擦除Characteris-测过TYP MAX或指定的时间
6.如果V
IN
& GT ; V
CC
,输入负载电流增大到10μA MAX 。
7.我
PPS ,
I
PPWS ,
I
PPES
将增加至200μA时, V
PP
/ WP #是V
PPH
.
表41 :直流电压特性
CMOS输入
(V
CCQ
= 1.7–3.6V)
参数
输入低电压
输入高电压
输出低电压
符号
V
IL
V
IH
V
OL
民
–0.5
V
CCQ
- 0.4
–
最大
0.4
V
CCQ
+ 0.5
0.2
TTL输入
1
(V
CCQ
= 2.4–3.6V)
民
–0.5
2
–
最大
0.6
V
CCQ
+ 0.5
0.2
单位测试条件
V
V
V
V
CC
= V
CC
(分钟)
V
CCQ
= V
CCQ
(分钟)
I
OL
= 100µA
V
CC
= V
CC
(分钟)
V
CCQ
= V
CCQ
(分钟)
I
OH
= –100µA
3
笔记
2
输出高电压
V
OH
V
CCQ
- 0.2
–
V
CCQ
– 0.2
–
V
V
PP
锁定电压
V
CC
锁定电压
V
CCQ
锁定电压
V
PPLK
V
LKO
V
LKOQ
注意事项:
–
1.5
0.9
0.4
–
–
–
1.5
0.9
0.4
–
–
V
V
V
1.同步读模式不支持TTL输入。
2. V
IL
可以下冲至-1.0V为2ns的或更少和V的持续时间
IH
可过冲至V
CCQ
+
1.0V为2ns的或更少的持续时间。
3. V
PP
≤
V
PPLK
抑制擦除和编程操作。不要使用V
PPL
和V
PPH
外
它们的有效范围。
PDF : 09005aef84566799
p30_65nm_MLC_256Mb - 512mb.pdf - 版本C 12/13 EN
81
美光科技公司保留更改产品或规格,恕不另行通知。
©
2013美光科技公司保留所有权利。