7th.July.2000版本。 1.0
三菱的LSI
M5M5V108DFP ，副总裁， KV -70H
1048576 - BIT （ 131072 -字×8位）的CMOS静态RAM
绝对最大额定值
符号
VCC
V
I
V
O
P
d
T
OPR
T
英镑
参数
电源电压
输入电压
输出电压
功耗
工作温度
储存温度
相对于GND
Ta=25°C
条件
评级
– 0.3*~4.6
- 0.3 *〜 VCC + 0.3
（最多4.6 ）
0~Vcc
700
0~70
– 65~150
单位
V
V
V
mW
°C
°C
* -3.0V的情况下交流（脉冲宽度
≤
为30ns ）
DC电气特性
例（Ta = 0〜70 ℃， Vcc的= 2.7 〜3.6V，除非另有说明）
符号
V
IH
V
IL
V
OH1
V
OH2
V
OL
I
I
I
O
I
CC1
I
CC2
参数
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电压1
高电平输出电压2
低电平输出电压
输入电流
输出电流在关断状态
主动电源电流
主动电源电流
I
OH
= ± 0.5毫安
I
OH
= - 0.05毫安
I
OL
= 2毫安
V
I
=0~Vcc
S
1
=V
IH
或S
2
=V
IL
或OE = V
IH
V
I / O
=0~V
CC
S
1
=V
IL
,S
2
=V
IH
,
其他输入= V
IH
或V
IL
输出开（占空比100 ％ ）
1) S
2
≤
0.2V
其他输入= 0 〜V
CC
2) S
1
≥
V
CC
–0.2V,
S
2
≥
V
CC
–0.2V
其他输入= 0 〜V
CC
S
1
=V
IH
或S
2
=V
IL
,
其他输入= 0 〜V
CC
70ns
1MHz
~25°C
-H
~40°C
~70°C
测试条件
范围
民
2.0
–0.3*
2.4
VCC
– 0.5
0.4
±1
±1
35
5
1.2
3.6
12
0.33
mA
µA
典型值
最大
VCC
+ 0.3
0.6
单位
V
V
V
V
V
µA
µA
I
CC3
待机电流
I
CC4
待机电流
* -3.0V的情况下交流（脉冲宽度
≤
为30ns ）
电容
例（Ta = 0〜70 ℃，除非另有说明）
符号
C
I
C
O
参数
输入电容
输出电容
测试条件
V
I
= GND ，V
I
= 25mVrms ， F = 1MHz的
V
O
= GND ，V
O
= 25mVrms ， F = 1MHz的
民
范围
典型值
最大
8
10
单位
pF
pF
注1 ：方向为电流流入到一个集成电路是正的（无标记） 。
2 ：典型值是VCC = 3V ，TA = 25℃
三菱
电
3
MITSUBISHI [ MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR ]
