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    M5M5V108DVP-70H 参数 Datasheet PDF下载

    M5M5V108DVP-70H图片预览
    型号： M5M5V108DVP-70H
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 1048576 - BIT （ 131072 -字×8位）的CMOS静态RAM [1048576-BIT(131072-WORD BY 8-BIT)CMOS STATIC RAM]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 8 页 / 62 K
    品牌： MITSUBISHI [ MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号M5M5V108DVP-70H的Datasheet PDF文件第1页浏览型号M5M5V108DVP-70H的Datasheet PDF文件第2页浏览型号M5M5V108DVP-70H的Datasheet PDF文件第3页浏览型号M5M5V108DVP-70H的Datasheet PDF文件第4页浏览型号M5M5V108DVP-70H的Datasheet PDF文件第5页浏览型号M5M5V108DVP-70H的Datasheet PDF文件第6页浏览型号M5M5V108DVP-70H的Datasheet PDF文件第8页  
    7th.July.2000版本。 1.0
    三菱的LSI
    M5M5V108DFP ，副总裁， KV -70H
    1048576 - BIT （ 131072 -字×8位）的CMOS静态RAM
    省电特性
    （ 1 ）电气特性
    例（Ta = 0〜70 ℃，除非另有说明）
    符号
    V
    CC （PD）的
    V
    我（S1）
    V
    我（S2）的
    参数
    掉电电源电压
    片选输入端S
    1
    片选输入端S
    2
    2.7V≤Vcc(PD)
    Vcc(PD)<2.7V
    V
    CC
    = 3V
    I
    CC （PD）的
    掉电电源电流
    1) S
    2
    ≤
    0.2V,
    其他输入= 0 〜 3V
    2) S
    1
    ≥
    V
    CC
    –0.2V,
    S
    2
    ≥
    V
    CC
    –0.2V
    其他输入= 0 〜 3V
    ~25°C
    -H
    ~40°C
    ~70°C
    测试条件
    民
    2
    2.0
    范围
    典型值
    VCC （ PD ）
    最大
    单位
    V
    0.6
    0.2
    1
    3
    10
    V
    V
    V
    µA
    （ 2 ）时序要求
    例（Ta = 0〜70 ℃，除非另有说明）
    符号
    t
    SU（ PD ）
    t
    REC （ PD ）
    参数
    掉电成立时间
    掉电恢复时间
    测试条件
    民
    0
    5
    范围
    典型值
    最大
    单位
    ns
    ms
    （ 3 ）省电特性
    S
    1
    控制模式
    V
    CC
    t
    SU（ PD ）
    2.7V
    2.7V
    t
    REC （ PD ）
    2.2V
    S
    1
    S
    1
    ≥
    V
    CC
    - 0.2V
    2.2V
    注7 ：在掉电模式下通过控制硫
    1
    时，S的输入电平
    2
    必须是S
    2
    ≥
    VCC - 0.2V或
    S
    2
    ≤
    0.2V 。其他引脚（地址， I / O ， WE ， OE ），可在高阻抗状态。
    S
    2
    控制模式
    V
    CC
    2.7V
    2.7V
    t
    REC （ PD ）
    S
    2
    t
    SU（ PD ）
    0.2V
    S
    2
    ≤
    0.2V
    0.2V
    三菱
    电
    7

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