修订- K1.0e ， “ 98.09.07
三菱的LSI
M5M5V408BFP/TP/RT/KV/KR
4194304 - BIT （ 524288 -字×8位）的CMOS静态RAM
功能
该M5M5408BFP ， TP ， RT ， KV ， KR组织为524,288-
字由8位。这些器件在单个+ 2.7 〜 3.6V工作
电源，并且是直接TTL兼容于两个输入
和输出。它的全静态电路，需要的不是钟也没有
刷新，并使其有用。
在S中执行写操作低和W低
重叠时间。地址（ A0 〜 A18 ） ，必须设置前
在写周期
读操作是由在高级别设置W¯¯执行
和OE为低电平，而S是不活动状态（S = L） 。
当在较高的水平设定S，则芯片是在一个非
可选的模式，其中阅读和写作是
禁用。在这种模式下，输出级处于高阻抗
状态，允许或领带与其他芯片。设置OE在一个较高的
级，输出级处于高阻抗状态，并在
在写周期的数据总线争用的问题被消除。
电源电流减小低至0.3μA （25℃ ，
典型的） ，并且所述存储器中的数据可以在+ 2V功率举行
供应，使电池备用电源发生故障时的操作
在非选择的模式或断电操作。
功能表
S
H
L
L
L
W
X
L
H
H
OE
X
X
L
H
模式
非选择
写
读
读
DQ
高阻抗
数据输入（ D）
数据输出（Q）的
高阻抗
ICC
待机
活跃
活跃
活跃
针
A0 ~ A18
功能
地址输入
片选输入
写控制输入
输出inable输入
电源
供应地
DQ1 〜 DQ8的数据输入/输出
S
W
OE
VCC
GND
框图
M5M5V408B
FP / TP / RT
M5M5V408BKV/KR
16
15
14
13
12
11
10
9
6
7
21
22
M5M5V408BKV/KR
A
4
A
5
A
6
A
7
A
12
A
14
A
16
A
17
A
18
A
15
A
10
A
11
A
9
A
8
A
13
8
7
6
5
4
3
2
30
1
31
M5M5V408B
FP / TP / RT
13
14
15
17
18
19
20
21
存储阵列
524288字
×8位
23
25
26
27
28
29
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
DQ
8
23
25
26
27
28
31
1
2
3
4
5
30
29
22
24
时钟
发电机
W
S
OE
V
CC
(3V)
A
0
A
1
A
2
A
3
12
11
10
9
20
19
18
17
32
8
32
24
16
GND
(0V)
三菱电机
3
MITSUBISHI [ MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR ]
