修订- K1.0e ， “ 98.09.07
三菱的LSI
M5M5V408BFP/TP/RT/KV/KR
4194304 - BIT （ 524288 -字×8位）的CMOS静态RAM
绝对最大额定值
符号
参数
电源电压
输入电压
输出电压
功耗
操作
温度
储存温度
条件
相对于GND
相对于GND
相对于GND
Ta=25°C
标准
W-版
I-版
评级
单位
VCC
V
I
V
O
P
d
T
a
T
英镑
（ -L ， -H ）
（ -LW ， -HW ）
（ -LI ，嗨）
-0.5
*
~ +4.6
-0.5
*
〜 VCC + 0.5
0 〜 Vcc的
700
0 ~ +70
-20 ~ +85
-40 ~ +85
-65 ~150
V
mW
°C
°C
* -3.0V的情况下交流（脉冲宽度
≤
30ns)
DC电气特性
符号
参数
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电压1
I
OH
= -0.5mA
高电平输出电压2
I
OH
= -0.05mA
低电平输出电压
输入漏电流
输出漏电流
主动电源电流
（ AC ， MOS级）
主动电源电流
（交流， TTL电平）
条件
（ VCC = 2.7 〜3.6V，除非另有说明）
范围
民
典型值
最大
Vcc+0.3V
单位
V
IH
V
IL
V
OH1
V
OH2
V
OL
I
I
I
O
ICC
1
ICC
2
2.2
-0.3 *
2.4
Vcc-0.5V
0.6
V
0.4
±1
±1
I
OL
=2mA
V
I
=0
~
VCC
S = V
IH
或OE = V
IH ，
V
I / O
=0
~
VCC
S
≤0.2V
输出开
其他投入
≤0.2V
or
≥Vcc-0.2V
输出开
S = VIL
其他输入= V
IH
或V
IL
F = 10MHz时
F = 1MHz的
F = 10MHz时
F = 1MHz的
µA
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-LW ， -LI
+70 ~ +85°C
+70°C
-L ， -LW ， -LI
按电源电流待机
（ AC ， MOS级）
-HW ，嗨
+70 ~ +85°C
S
≥Vcc-0.2V
+40 ~ +70°C
-H ， -HW ，嗨
其他输入= 0 〜 Vcc的
+25 ~ +40°C
-H
0 ~ +25°C
-HW
嗨
-20 ~ +25°C
-40 ~ +25°C
ICC
3
30
5
30
5
-
-
-
-
1
0.3
0.3
0.3
-
40
7
40
7
48
24
24
12
3.6
1.2
1.2
1.2
0.5
mA
µA
ICC
4
按电源电流待机
（交流， TTL电平）
S = V，其他输入= 0 〜 Vcc的
mA
注1 ：方向为电流流入集成电路被表示为阳性（无标记）
注2 ：典型值是VCC = 3.0V和Ta = 25℃
* -3.0V的情况下交流（脉冲宽度
≤
30ns)
电容
符号
参数
输入电容
输出电容
条件
V
I
= GND ，V
I
= 25mVrms ， F = 1MHz的
V
O
=
GND ，V
O
= 25mVrms ， F = 1MHz的
（ VCC = 2.7 〜3.6V，除非另有说明）
范围
典型值
最大
单位
民
C
I
C
O
8
10
pF
三菱电机
4
MITSUBISHI [ MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR ]
