修订- K1.0e ， “ 98.09.07
三菱的LSI
M5M5V408BFP/TP/RT/KV/KR
4194304 - BIT （ 524288 -字×8位）的CMOS静态RAM
AC电气特性
（1）测试条件
电源电压
输入脉冲
输入上升时间和下降时间
参考电平
（ VCC = 2.7 〜3.6V，除非另有说明）
2.7V~3.6V
V
IH
=2.4V,V
IL
=0.4V
5ns
V
OH
=V
OL
=1.5V
过渡是从测得的± 500mV的
稳态电压。 （对于T
en
,t
DIS
)
1TTL
DQ
CL
包括范围和
夹具电容
输出负载
Fig.1,CL=30pF
CL = 5pF的（十， TDIS ）
图1输出负载
（ 2 ）读周期
范围
符号
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
输出启用访问时间
之后的高输出禁止时间
OE高后输出禁止时间
之后的低输出使能时间
OE后低输出使能时间
地址后，数据的有效时间
M5M5V408B
FP,TP,RT,KV,KR-85
M5M5V408B
FP,TP,RT,KV,KR-10
单位
民
最大
民
最大
t
CR
t
a
(A)
t
a
(S)
t
a
（ OE）的
t
DIS
(S)
t
DIS
（ OE）的
t
en
(S)
t
en
（ OE）的
t
V
(A)
85
85
85
45
30
30
10
5
10
100
100
100
50
35
35
10
5
10
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
（ 3 ）写周期
范围
符号
参数
写周期时间
把脉冲宽度
地址建立时间
地址建立时间相对于W高
芯片选择成立时间
数据建立时间
数据保持时间
写恢复时间
后W¯¯低输出禁止时间
OE高后输出禁止时间
输出使能后， W高时间
OE后低输出使能时间
M5M5V408B
FP,TP,RT,KV,KR-85
M5M5V408B
FP,TP,RT,KV,KR-10
单位
民
最大
民
最大
t
CW
t
w
(W)
t
su
(A)
t
su
（ A- WH ）
t
su
(S)
t
su
(D)
t
h
(D)
t
REC
(W)
t
DIS
(W)
t
DIS
（ OE）的
t
en
(W)
t
en
（ OE）的
85
60
0
70
70
35
0
0
30
30
5
5
100
75
0
85
85
40
0
0
35
35
5
5
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
三菱电机
5
MITSUBISHI [ MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR ]
