三菱的LSI
M6MGB/T166S4BWG
16777216位（ 1,048,576 -word 16位） CMOS
3.3V -ONLY闪存&
4,194,304位（ 262,144字×16位） CMOS SRAM
堆叠CSP （芯片级封装）
设备识别码
CODE
制造商代码
设备代码（ -T166S4BWG ）
设备代码（ -B166S4BWG ）
上面的数据（D
15-8)
为"0" 。
引脚
A
0
V
IL
V
IH
V
IH
DQ
7
0
1
1
DQ
6
0
0
0
DQ
5
0
1
1
DQ
4
1
0
0
DQ
3
1
0
0
DQ
2
1
0
0
DQ
1
0
0
0
DQ
0
0
0
1
（十六进制） 。数据
1CH
A0H
A1H
绝对最大额定值
符号
F- V
cc
V
I1
T
a
T
bs
T
英镑
I
OUT
参数
闪光V
cc
电压
所有输入或输出电压
环境温度
在偏置温度
储存温度
输出短路电流
1)
条件
相对于地面
民
-0.2
-0.6
-20
-50
-65
最大
4.6
4.6
85
95
125
100
单位
V
V
°C
°C
°C
mA
1 ）最小的直流电压是-0.5V的输入/输出管脚。在转换过程中，这个水平可能下冲至-2.0V的时期<20ns 。最大直流电压
输入/输出引脚为F -V
CC
+ 0.5V其中，在转换过程中，可能会过冲至FV
CC
+ 1.5V的时期<20ns 。
电容
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容（地址，控制引脚）
输出电容
测试条件
TA = 25 ° C，F = 1MHz时， V
in
= V
OUT
= 0V
民
范围
典型值
最大
8
12
单位
pF
pF
注意：通用引脚闪存的值是闪存和SRAM的总和。
DC电气特性
（大= -20〜 85 ° C，F -VCC = 2.7V 〜 3.6V ，除非另有说明）
符号
I
LI
I
LO
I
SB1
I
SB2
I
SB3
I
SB4
I
CC1
I
CC2
I
CC3
I
CC4
I
CC5
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH1
V
OH2
V
LKO
参数
输入漏电流
输出漏电流
F- V
CC
待机电流
测试条件
0V≤V
IN
英镑的F- V
CC
0V≤V
OUT
英镑的F- V
CC
F- VCC = 3.6V ， VIN = VIL / VIH ， F- CE ＃ = F - RP ＃ = F - WP ＃ = VIH
民
范围
Typ1)
50
0.1
5
最大
±2.0
±11
200
5
15
5
15
4
15
35
35
200
0.8
(F-Vcc)+0.5
单位
µA
µA
µA
µA
µA
µA
mA
mA
mA
mA
µA
V
V
V
V
V
V
F- V
CC
= 3.6V, V
IN
= GND或F -V
CC
,
F- CE ＃ = F - RP ＃ = F - WP ＃ = F -V
CC
±0.3V
F- V
CC
= 3.6V, V
IN
=V
IL
/V
IH
， F- RP ＃ = V
IL
F- VCC = 3.6V ， VIN = GND或F - VCC ， F- RP ＃ = GND ± 0.3V
F- V
CC
深掉电电流
F- V
CC
读取当前的字或字节
F- V
CC
写电流的字或字节
F- V
CC
编程电流
F- V
CC
擦除电流
F- V
CC
挂起电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
低V
CC
锁定电压2 ）
F- V
CC
= 3.6V, V
IN
=V
IL
/V
IH
， F- CE ＃ = V
IL
,
F- RP ＃ = F - OE ＃ = V
IH
, I
OUT
= 0毫安
5MHz
1MHz
0.1
8
2
F- V
CC
= 3.6V,V
IN
=V
IL
/V
IH
， F- CE ＃ = F -WE ＃ = V
IL
,
F- RP ＃ = F - OE ＃ = V
IH
F- VCC = 3.6V ， VIN = VIL / VIH ， F- CE ＃ = F - RP ＃ = F - WP ＃ = VIH
F- VCC = 3.6V ， VIN = VIL / VIH ， F- CE ＃ = F - RP ＃ = F - WP ＃ = VIH
F- VCC = 3.6V ， VIN = VIL / VIH ， F- CE ＃ = F - RP ＃ = F - WP ＃ = VIH
– 0.5
2.0
I
OL
= 4.0毫安
I
OH
= -2.0mA
I
OH
= –100µA
0.85(F-Vcc)
(F-Vcc)–0.4
0.45
1.5
2.2
所有电流都在RMS中，除非另有说明。
1 ）在F- VCC = 3.3V ，TA = 25 ° C典型值
2）向/下防止写入周期的开始期间的F- Vcc的电时，一个写周期被锁定与F- Vcc的比V
LKO 。
如果F- Vcc为小于V
LKO ，写状态机复位到读模式。当该写状态机处于忙状态时，如果F- Vcc为小于V
LKO
中，存储内容的变更
可能会发生。
10
1999年4月， Rev.1.7
MITSUBISHI [ MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR ]
