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    M6MGT166S4BWG 参数 Datasheet PDF下载

    M6MGT166S4BWG图片预览
    型号： M6MGT166S4BWG
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 16777216位（ 1,048,576 -word 16位） CMOS 3.3V -ONLY闪存 [16,777,216-BIT (1,048,576 -WORD BY 16-BIT ) CMOS 3.3V-ONLY FLASH MEMORY]
    分类和应用： 闪存
    文件页数/大小： 30 页 / 261 K
    品牌： MITSUBISHI [ MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号M6MGT166S4BWG的Datasheet PDF文件第3页浏览型号M6MGT166S4BWG的Datasheet PDF文件第4页浏览型号M6MGT166S4BWG的Datasheet PDF文件第5页浏览型号M6MGT166S4BWG的Datasheet PDF文件第6页浏览型号M6MGT166S4BWG的Datasheet PDF文件第8页浏览型号M6MGT166S4BWG的Datasheet PDF文件第9页浏览型号M6MGT166S4BWG的Datasheet PDF文件第10页浏览型号M6MGT166S4BWG的Datasheet PDF文件第11页  
    三菱的LSI
    M6MGB/T166S4BWG
    16777216位（ 1,048,576 -word 16位） CMOS
    3.3V -ONLY闪存&
    4,194,304位（ 262,144字×16位） CMOS SRAM
    堆叠CSP （芯片级封装）
    巴士业务
    公交运营的字宽银幕模式
    引脚
    模式
    F- CE ＃
    V
    IL
    V
    IL
    V
    IL
    V
    IL
    V
    IL
    V
    IH
    V
    IL
    V
    IL
    V
    IL
    X
    F- OE ＃
    V
    IL
    V
    IL
    V
    IL
    V
    IL
    V
    IH
    X
    2)
    V
    IH
    V
    IH
    V
    IH
    X
    F- WE＃
    V
    IH
    V
    IH
    V
    IH
    V
    IH
    V
    IH
    X
    V
    IL
    V
    IL
    V
    IL
    X
    F- RP ＃
    V
    IH
    V
    IH
    V
    IH
    V
    IH
    V
    IH
    V
    IH
    V
    IH
    V
    IH
    V
    IH
    V
    IL
    DQ
    0-15
    数据输出
    状态寄存器的数据
    锁定位数据（ DQ
    6
    )
    识别码
    高阻
    高阻
    命令/数据的
    命令
    命令
    高阻
    F- RY / BY ＃
    V
    OH （高阻）
    X
    1)
    X
    V
    OH （高阻）
    X
    X
    X
    X
    X
    V
    OH （高阻）
    ARRAY
    读
    状态寄存器
    锁定位状态
    识别码
    输出禁用
    支持
    节目
    写
    抹去
    OTHERS
    深度掉电
    1 ） X的
    F-
    RY / BY ＃为V
    OL
    或V
    OH （高阻）
    .
    *这架F - RY / BY ＃是漏极开路输出引脚，并表示内部WSM的状态。当低，则表示该WSM占线执行一个操作。
    对10K - 100K欧姆的上拉电阻才能使F- RY / BY ＃信号变为高电平表示准备WSM条件。
    2） X可以为V
    IH
    或V
    IL
    为控制引脚。
    7
    1999年4月， Rev.1.7

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