三菱的LSI
M6MGB/T166S4BWG
16777216位（ 1,048,576 -word 16位） CMOS
3.3V -ONLY闪存&
4,194,304位（ 262,144字×16位） CMOS SRAM
堆叠CSP （芯片级封装）
AC电气特性
（大= -20〜 85 ° C，F -VCC = 2.7V 〜 3.6V ）
只读模式
范围
符号
参数
民
90
F-Vcc=2.7-3.6V
90ns
典型值
最大
90
90
30
0
25
0
25
150
0
150
单位
t
RC
t
一（ AD）
t
一（ CE ）
t
一个（OE）
t
CLZ
t
DF （ CE）
t
OLZ
t
DF （ OE ）
t
PHZ
t
OH
t
PS
t
AVAV
t
AVQV
t
ELQV
t
GLQV
t
ELQX
t
EHQZ
t
GLQX
t
GHQZ
t
PLQZ
t
OH
t
PHEL
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
输出启用访问时间
芯片使能在低Z输出
芯片使能高到高Z输出
输出使能，以在低Z输出
输出使能高到高Z输出
F- RP ＃低到输出高阻
从F- CE ＃ ， OE ＃ ，地址输出的保持
F- RP ＃恢复到F -CE ＃低
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
定时测量是根据AC波形读操作进行。
AC电气特性
（大= -20〜 85 ° C，F -VCC = 2.7V 〜 3.6V ）
写模式
（F -WE ＃控制）
范围
F-Vcc=2.7-3.6V
民
90
50
0
50
0
10
30
0
0
60
30
0
90
0
4
40
150
80
600
90
90ns
典型值
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ms
ns
ns
符号
参数
单位
t
WC
t
AS
t
AH
t
DS
t
DH
t
OEH
t
RE
t
CS
t
CH
t
WP
t
WPH
t
GHWL
t
BLS
t
BLH
t
DAP
t
DAE
t
WHRL
t
PS
t
AVAV
t
AVWH
t
WHAX
t
DVWH
t
WHDX
t
WHGL
-
t
ELWL
t
WHEH
t
WLWH
t
WHWL
t
GHWL
t
PHHWH
t
QVPH
t
WHRH1
t
WHRH2
t
WHRL
t
PHWL
写周期时间
地址建立时间
地址保持时间
数据建立时间
数据保持时间
F- OE ＃从F- WE＃保持高
之间的读取和写入FFH或71H延迟
芯片使能建立时间
芯片使能保持时间
把脉冲宽度
写脉冲宽高
F- OE ＃保持到F -WE ＃低
块锁的建立，使能高
Lockhold从有效SRD座
自动程序操作的持续时间
自动块擦除操作的时间
写使能高到F - RY / BY ＃低
F- RP ＃高价回收来写使能低
在读命令写入操作模式的时序参数都是一样的期间只读操作模式。
在F- VCC = 3.3V ，TA = 25 ° C典型值
11
1999年4月， Rev.1.7
MITSUBISHI [ MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR ]
