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V29LC51001 参数 Datasheet PDF下载

V29LC51001图片预览
型号: V29LC51001
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内容描述: 1兆位131,072 ×8位的5伏CMOS FLASH MEMORY [1 MEGABIT 131,072 x 8 BIT 5 VOLT CMOS FLASH MEMORY]
分类和应用:
文件页数/大小: 12 页 / 55 K
品牌: MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
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茂矽
功能说明
读周期
读周期是由同时持有CE进行
和OE信号为低电平。数据输出成为唯一有效的
当满足这些条件。在读周期
我们必须CE和OE变低前高。
我们必须在读取操作期间保持高电平
对所读取的完成(见表1) 。
V29LC51001
512
512
512
V29LC51001
输出禁用
返回OE或CE高,以先到者为准
将终止读操作,然后将升/ O
引脚处于高阻抗状态。
512
00000H
L51001-13
待机
该设备将在CE进入待机模式
信号是高电平。所述升/ O引脚被放置在
HIGH -Z ,独立于OE信号。
在字节编程周期,地址是
锁存CE或WE的下降沿,
取最后一次。数据被锁存,上升沿
CE或WE的,以先到为准。字节编程
周期可控制CE或WE控制。
命令序列
该V29LC51001不提供“复位”
特征的芯片恢复到正常状态时
一个不完整的命令序列或
中断发生。在这种情况下,正常的
操作(读模式),可以通过以下操作来恢复
一个“不存在”的命令序列,例如
地址: 5555H ,数据FFH 。
扇区擦除周期
该V29LC51001设有一个扇区擦除
操作,它允许每个扇区被擦除
和重新编程,而不会影响存储在数据
其他行业。通过启动扇区擦除操作
使用特定的六总线周期序列:两
解锁的程序周期,一个setup命令,二
附加的解锁程序周期和扇区
擦除命令(见表2)。一个扇区必须
首先擦除可再编程之前。而
在内部擦除模式下,设备会忽略任何
程序尝试到器件中。扇区擦除是
在10ms以下完成。该V29LC51001是
随预擦除扇区(所有位= 1)。
字节的程序循环
该V29LC51001被编程以字节逐
字节的基础。启动字节编程操作
通过使用特定的4总线周期序列: 2
解锁的程序周期,程序安装命令
和节目数据程序周期(见表2) 。
表1.操作模式解码
解码模式
字节写
待机
输出禁用
CE
V
IL
V
IL
V
IH
V
IL
OE
V
IL
V
IH
X
V
IH
WE
V
IH
V
IL
X
V
IH
A
0
A
0
A
0
X
X
A
1
A
1
A
1
X
X
A
9
A
9
A
9
X
X
I / O
PD
高-Z
高-Z
注意事项:
1, X =无关,V
IH
=高,V
IL
=低。 V
H
= 12.5V最大。
2. PD:在字节地址中的数据进行编程。
2000 V29LC51001版本0.5月
8