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V29LC51001 参数 Datasheet PDF下载

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型号：	V29LC51001
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	1兆位131,072 ×8位的5伏CMOS FLASH MEMORY [1 MEGABIT 131,072 x 8 BIT 5 VOLT CMOS FLASH MEMORY]
分类和应用：
文件页数/大小：	12 页 / 55 K
品牌：	MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]

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茂矽

AC电气特性

（在所有温度范围）

读周期

参数

名字

t

RC

t

AA

t

ACS

t

OE

t

CLZ

t

OLZ

t

DF

t

OH

V29LC51001

-90

参数

读周期时间

地址访问时间

芯片使能存取时间

输出启用访问时间

CE低到输出有效

OE低到输出有效

输出使能或禁用芯片到输出中高Z

从地址变更输出保持

分钟。

90

—

—

—

0

0

0

0

马克斯。

—

90

90

40

—

—

20

—

单位

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

计划（擦除/编程）循环

参数

名字

t

WC

t

AS

t

AH

t

CS

t

CH

t

OES

t

OEH

t

WP

t

WPH

t

DS

t

DH

t

WHWH1

t

WHWH2

t

WHWH3

-90

参数

项目周期

地址建立时间

地址保持时间

CE建立时间

CE保持时间

OE建立时间

OE高保持时间

WE脉冲宽度

WE脉冲宽度高

数据建立时间

数据保持时间

编程周期

扇区擦除周期

芯片擦除周期

分钟。

90

0

45

0

0

0

0

45

35

30

0

—

—

—

典型值。

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

2

马克斯。

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

30

10

—

单位

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

µs

ms

美国证券交易委员会

2000 V29LC51001版本0.5月

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