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V29LC51001 参数 Datasheet PDF下载

V29LC51001图片预览
型号: V29LC51001
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内容描述: 1兆位131,072 ×8位的5伏CMOS FLASH MEMORY [1 MEGABIT 131,072 x 8 BIT 5 VOLT CMOS FLASH MEMORY]
分类和应用:
文件页数/大小: 12 页 / 55 K
品牌: MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
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茂矽
表2.命令代码
第一巴士
项目周期
命令
顺序
自选
地址
XXXXH
5555H
5555H
数据
F0H
AAH
AAH
2AAAH
2AAAH
55H
55H
5555H
5555H
F0H
90H
RA
00H
01H
字节
节目
芯片擦除
5555H
AAH
2AAAH
55H
5555H
A0H
PA
RD
40H(3)
60H(4)
PD(2)
第二巴士
项目周期
地址
数据
第三巴士
项目周期
地址
数据
四巴士
项目周期
地址
数据
第五公交车
项目周期
地址
数据
V29LC51001
六总线
项目周期
地址
数据
5555H
AAH
AAH
2AAAH
2AAAH
55H
55H
5555H
5555H
80H
80H
5555H
5555H
AAH
AAH
2AAAH
2AAAH
55H
55H
5555H
PA(1)
10H
30H
扇区擦除5555H
注意事项:
1. PA:所述存储器位置的地址进行编程。
2. PD:在字节地址中的数据进行编程。
3. 40H :制造ID
4. 60H :设备ID
芯片擦除周期
该V29LC51001设有芯片擦除
操作。通过启动芯片擦除操作
使用特定的六总线周期序列:两个解锁
项目周期,一个setup命令,另外两个
解锁的程序周期,芯片擦除
指令(参见表2)。
执行芯片擦除操作
顺序地,一个扇区的时间。当
自动对芯片擦除算法要求
与芯片擦除命令序列,该装置
自动计划和验证整个
为擦除前的全零模式存储器阵列
自动擦除开始的上升沿
在命令序列中最后WE或CE脉冲
后来终止为500ms 。
硬件数据保护
V
CC
保护意义:
编程操作是
抑制当VCC低于2.5V 。
噪声保护:
在CE或WE脉冲小于
为5ns不会启动一个程序循环。
禁止程序保护:
保持中的任一项
OE LOW , HIGH CE或WE高抑制方案
周期。
2000 V29LC51001版本0.5月
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