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V53C8129H 参数 Datasheet PDF下载

V53C8129H图片预览
型号: V53C8129H
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内容描述: 超高性能, 128K X 8EDO页模式的CMOS动态RAM [ULTRA-HIGH PERFORMANCE, 128K X 8EDO PAGE MODE CMOS DYNAMIC RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 18 页 / 200 K
品牌: MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
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茂矽
AC特性
(续)
35
#
32
33
34
35
36
JEDEC
符号
t
DVWL2
t
WL1DX
t
WL1GL2
t
GH2DX
t
RL2RL2
( RMW )
t
RL1RH1
( RMW )
t
CL1WL2
t
RL1WL2
t
CL1CH1
t
AVWL2
t
CL2CL2
t
CH2CL2
t
AVRH1
t
CH2QV
t
RL1DX
t
CL1RL2
t
RH2CL2
t
RL1CH1
t
CL2CL2
( RMW )
t
T
符号参数
t
DS
t
DH
t
WOH
t
OED
t
RWC
t
RRW
t
CWD
t
RWD
t
CRW
t
AWD
t
PC
t
CP
t
汽车
t
t
DHR
t
企业社会责任
t
RPC
t
CHR
t
PCM
t
T
t
REF
t
COH
数据建立时间
数据保持时间
写OE保持时间
OE数据延迟时间
读 - 修改 - 写周期时间
40
45
50
V53C8129H
分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。单位
0
4
5
5
105
0
5
6
6
110
0
6
7
7
115
0
7
8
8
130
ns
ns
ns
ns
ns
笔记
14
14
14
14
37
读 - 修改 - 写周期RAS脉冲
宽度
CAS以拖延
RAS到我们拖延在读 - 修改 - 写
周期
CAS脉冲宽度( RMW )
上校地址到我们拖延
EDO页面模式读取或写入周期
时间
CAS预充电时间
列地址到RAS建立时间
从列预充电时间访问
在数据保持时间参考RAS
CAS建立时间CAS先于RAS
刷新
RAS到CAS预充电时间
CAS保持时间CAS先于RAS刷新
EDO页面模式读取 - 修改 - 写入
周期
转换时间(上升和下降)
刷新间隔( 512个周期)
CAS低后输出保持
70
75
80
87
ns
38
39
28
54
30
58
32
62
34
68
ns
ns
12
12
40
41
42
46
35
14
48
38
15
50
41
17
52
42
19
ns
ns
ns
12
43
44
45
46
47
4
18
21
28
10
5
20
23
30
10
6
22
25
35
10
7
24
27
40
10
ns
ns
ns
ns
ns
7
48
49
50
0
8
58
0
8
60
0
10
65
0
12
70
ns
ns
ns
51
52
53
3
50
8
3
50
8
3
50
8
3
50
8
ns
ms
ns
15
5
5
5
5
V53C8129H 1.3修订版1997年7月
6