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V53C8129H 参数 Datasheet PDF下载

V53C8129H图片预览
型号: V53C8129H
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内容描述: 超高性能, 128K X 8EDO页模式的CMOS动态RAM [ULTRA-HIGH PERFORMANCE, 128K X 8EDO PAGE MODE CMOS DYNAMIC RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 18 页 / 200 K
品牌: MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
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茂矽
AC特性
T
A
= 0
°
C至70
°
C,V
CC
= 5 V
±
10%, V
SS
= 0V ,除非另有说明
AC测试条件下,输入脉冲电平0〜 3V
35
#
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
JEDEC
符号
t
RL1RH1
t
RL2RL2
t
RH2RL2
t
RL1CH1
t
CL1CH1
t
RL1CL1
t
WH2CL2
t
AVRL2
t
RL1AX
t
AVCL2
t
CL1AX
t
CL1RH1(R)
t
CH2RL2
t
CH2WX
t
RH2WX
t
OEL1RH2
t
GL1QV
t
CL1QV
t
RL1QV
t
AVQV
t
CL1QX
t
CH2QZ
t
RL1AX
t
RL1AV
符号参数
t
RAS
t
RC
t
RP
t
CSH
t
CAS
t
RCD
t
RCS
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
RSH (R)的
t
CRP
t
RCH
t
RRH
t
ROH
t
OAC
t
CAC
t
RAC
t
CAA
t
LZ
t
HZ
t
AR
t
拉德
RAS脉冲宽度
读或写周期时间
RAS预充电时间
CAS保持时间
CAS脉冲宽度
RAS到CAS延迟
READ命令设置时间
行地址建立时间
行地址保持时间
列地址设置时间
列地址保持时间
RAS保持时间(读周期)
CAS到RAS预充电时间
读命令保持时间参考
到CAS
读命令保持时间参考
到RAS
RAS保持时间参考OE
从OE访问时间
从CAS访问时间( EDO )
从RAS访问时间
从列地址访问时间
CAS为低-Z输出
输出缓冲关断延迟时间
列地址保持时间从RAS
RAS到列地址的延迟时间
RAS或CAS保持时间在写周期
写命令到CAS交货期
写命令设置时间
写命令保持时间
把脉冲宽度
写命令保持时间从RAS
写命令到RAS交货期
0
0
28
11
12
12
0
5
5
28
12
17
6
40
45
50
V53C8129H
分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。单位
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70
25
35
7
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0
6
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0
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40
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40
8
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0
0
7
0
5
14
5
0
28
75K
45
80
25
45
9
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0
0
8
0
6
15
5
0
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75K
50
90
30
50
9
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0
0
9
0
7
15
5
0
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75K
ns
ns
ns
ns
ns
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ns
ns
ns
ns
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ns
ns
笔记
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0
0
0
0
ns
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ns
ns
ns
ns
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ns
ns
ns
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ns
12, 13
11
6, 7
6, 8, 9
6, 7, 10
16
16
t
CL1RH1(W)
t
RSH (W)的
t
WL1CH1
t
WL1CL2
t
CL1WH1
t
WL1WH1
t
RL1WH1
t
WL1RH1
t
CWL
t
WCS
t
WCH
t
WP
t
WCR
t
RWL
V53C8129H 1.3修订版1997年7月
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