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V53C8129H 参数 Datasheet PDF下载

V53C8129H图片预览
型号: V53C8129H
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内容描述: 超高性能, 128K X 8EDO页模式的CMOS动态RAM [ULTRA-HIGH PERFORMANCE, 128K X 8EDO PAGE MODE CMOS DYNAMIC RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 18 页 / 200 K
品牌: MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
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茂矽
T
A
= 0
°
C至70
°
C,V
CC
= 5 V
±
10%, V
SS
= 0V时,除非另有规定。
ACCESS
时间
V53C8129H
分钟。
–10
V53C8129H
DC和工作特性
(1-2)
符号
I
LI
I
LO
I
CC1
参数
输入漏电流
(任何输入引脚)
输出漏电流
(为高阻态)
V
CC
电源电流,
操作
典型值。
最大..
10
单位
µ
A
µ
A
mA
测试条件
V
SS
V
IN
V
CC
V
SS
V
OUT
V
CC
RAS , CAS在V
IH
t
RC
= t
RC
(分)
笔记
–10
10
35
40
45
50
160
150
145
135
4
1, 2
I
CC2
I
CC3
V
CC
电源电流,
TTL待机
V
CC
电源电流,
RAS -ONLY刷新
35
40
45
50
mA
RAS , CAS在V
IH
其他投入
V
SS
t
RC
= t
RC
(分)
2
160
150
145
135
95
90
85
80
2
mA
I
CC4
V
CC
电源电流,
EDO页面模式操作
35
40
45
50
mA
最小周期
1, 2
I
CC5
I
CC6
V
CC
电源电流,
待机状态下,输出启用
V
CC
电源电流,
CMOS待机
mA
RAS = V
IH
, CAS = V
IL
其他投入
V
SS
RAS
V
CC
– 0.2 V,
CAS
V
CC
– 0.2 V,
所有其它输入
V
SS
1
1
mA
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
–1
2.4
0.8
V
CC
+ 1
0.4
V
V
V
V
I
OL
= 4.2毫安
I
OH
= -5毫安
3
3
2.4
V53C8129H 1.3修订版1997年7月
4