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N04Q1625C2BT2-70C 参数 Datasheet PDF下载

N04Q1625C2BT2-70C图片预览
型号: N04Q1625C2BT2-70C
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内容描述: 4Mb的超低功耗异步SRAM CMOS瓦特/双Vcc和VCCQ的终极功率降低256K 】 16位POWER SAVER技术 [4Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM w/ Dual Vcc and VccQ for Ultimate Power Reduction 256K】16 bit POWER SAVER TECHNOLOGY]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 13 页 / 300 K
品牌: NANOAMP [ NANOAMP SOLUTIONS, INC. ]
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N04Q16yyC2B
纳安解决方案公司
绝对最大额定值
1
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
CC
供应相对于V
SS
功耗
储存温度
工作温度
焊接温度和时间
符号
V
IN,OUT
V
CC
P
D
T
英镑
T
A
T
SOLDER
等级
-0.3到V
CC
+0.3
-0.3〜 4
500
-40至125
-40至+85
260
o
C, 10秒
单位
V
V
mW
o
o
o
超前信息
C
C
C
1.强调大于上述所列可能导致器件的永久性损坏。这是一个额定值只和功能操作
器件在这些或以上的本规范的操作部分标明的任何其他条件不暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间可能会影响其可靠性。
工作特性(在规定温度范围)
符号
设备
N04Q1612...
核心供电电压
V
CC
N04Q1618...
N04Q1625...
N04Q1630...
N04Q1612...
I / O电源电压
V
CCQ
N04Q1618...
N04Q1625...
N04Q1630...
输入高电压
输入低电压
输出高电压
输出低电压
输入漏电流
输出漏电流
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
LI
I
LO
I
OH
= -100uA
I
OL
=为100uA
V
IN
= 0至V
CC
OE = V
IH
或芯片
条件
1.2V核心设备
1.8V核心设备
2.5V核心设备
3V核心设备
1.2V核心设备
1.8V核心设备
2.5V核心设备
3V核心设备
分钟。
1.1
1.65
2.3
2.7
1.1
1.65
2.3
2.7
0.8 x
VCCQ
–0.3
V
CC
–0.2
0.2
0.5
0.5
典型值
1.2
1.8
2.5
3.0
最大
1.3
1.95
2.8
3.6
3.3
3.3
3.3
3.6
V
CC
+0.3
0.2 x
VCCQ
V
V
µA
µA
V
V
V
单位
库存号23451 -B 2/06
该规范是超前信息,并随时更改,恕不另行通知。
4