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    N04Q1625C2BT2-70C 参数 Datasheet PDF下载

    N04Q1625C2BT2-70C图片预览
    型号： N04Q1625C2BT2-70C
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 4Mb的超低功耗异步SRAM CMOS瓦特/双Vcc和VCCQ的终极功率降低256K 】 16位POWER SAVER技术 [4Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM w/ Dual Vcc and VccQ for Ultimate Power Reduction 256K】16 bit POWER SAVER TECHNOLOGY]
    分类和应用： 静态存储器
    文件页数/大小： 13 页 / 300 K
    品牌： NANOAMP [ NANOAMP SOLUTIONS, INC. ]
     浏览型号N04Q1625C2BT2-70C的Datasheet PDF文件第1页浏览型号N04Q1625C2BT2-70C的Datasheet PDF文件第2页浏览型号N04Q1625C2BT2-70C的Datasheet PDF文件第4页浏览型号N04Q1625C2BT2-70C的Datasheet PDF文件第5页浏览型号N04Q1625C2BT2-70C的Datasheet PDF文件第6页浏览型号N04Q1625C2BT2-70C的Datasheet PDF文件第7页浏览型号N04Q1625C2BT2-70C的Datasheet PDF文件第8页浏览型号N04Q1625C2BT2-70C的Datasheet PDF文件第9页  
    N04Q16yyC2B
    纳安解决方案公司
    功能框图
    地址
    输入
    (A1 - A4)
    超前信息
    字
    地址
    解码
    逻辑
    地址
    输入
    (A0, A5 - A17)
    页面
    地址
    解码
    逻辑
    4Mb
    RAM阵列
    输入/
    产量
    I / O0 - I / O7
    MUX
    和
    缓冲器
    I / O8 - I / O15
    复字
    CE1
    CE2
    WE
    OE
    UB
    LB
    控制
    逻辑
    功能说明
    CE1
    H
    X
    L
    L
    L
    L
    CE2
    X
    L
    H
    H
    H
    H
    WE
    X
    X
    X
    L
    H
    H
    OE
    X
    X
    X
    X
    3
    L
    H
    UB
    1
    X
    X
    H
    L
    1
    L
    1
    L
    1
    LB
    1
    X
    X
    H
    L
    1
    L
    1
    L
    1
    I / O
    0
    - I / O
    151
    高Z
    高Z
    高Z
    DATA IN
    数据输出
    高Z
    模式
    待机
    2
    待机
    2
    待机
    写
    3
    读
    活跃
    动力
    待机
    待机
    待机
    活跃
    活跃
    活跃
    1.当UB和LB在选择模式（低） ， I / O
    0
    - I / O
    15
    受到影响，如图所示。当LB不仅是在选择模式下的I / O
    0
    - I / O
    7
    受到影响，如图所示。当UB是在选择模式下的I / O
    8
    - I / O
    15
    受到影响，如图所示。
    2.当设备处于待机模式时，控制输入（WE ，OE ， UB和LB） ，地址输入端和数据输入/输出的内部
    隔离任何外部影响，从外部施加任何影响禁用。
    3.当我们被调用时， OE输入在内部禁用并具有对电路没有影响。
    电容
    1
    项
    输入电容
    I / O容量
    符号
    C
    IN
    C
    I / O
    测试条件
    V
    IN
    = 0V ， F = 1 MHz时，T
    A
    = 25
    o
    C
    V
    IN
    = 0V ， F = 1 MHz时，T
    A
    = 25
    o
    C
    民
    最大
    8
    8
    单位
    pF
    pF
    1，这些参数在设备特性验证，并非100％测试
    库存号23451 -B 2/06
    该规范是超前信息，并随时更改，恕不另行通知。
    3

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