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N64T1630C1B
超前信息
64MB超低功耗异步CMOS PSRAM
4M ×16位
概观
该N64T1630C1B是一个集成的内存
含64兆位伪静态随机装置
使用自刷新DRAM阵列存取存储器
16位组织为4,194,304字。这是
设计成可在操作相容并
接口标准6T SRAMS 。该装置是
专为低待机和工作电流
包括掉电功能
自动进入待机模式。该装置
包括ZZ输入深度睡眠，以及
其他几个省电模式：部分阵列
自刷新模式，其中数据被保持在一个
阵列和温度的部
补偿刷新。这两种模式减少
待机电流消耗。该N64T1630C1B可
在一个标准的异步模式下操作，并
数据也可以被读出4字页面模式
快速访问时间。该芯片具有独立的电源
导轨， VCCQ和VSSQ的I / O从一个运行
从设备核心单独的电源。
特点
•双电压轨的最佳功率& per-
formance
VCC - 2.7V - 3.3V
VCCQ - 2.7V至3.3V
•快速的循环时间
T
加
< 70纳秒（ 60ns的未来）
T
PACC
< 25纳秒
- 极低的待机电流
I
SB
< 170μA
•极低的工作电流
ICC < 25毫安
- PASR （部分阵列自刷新）
• TCR （温度补偿刷新）
表1 ：产品系列
产品型号
N64T1630C1BZ
包
TYPE
BGA
操作
温度
-25
o
C至+ 85
o
C
动力
供应
2.7 - 3.3V
I / O电源
2.7 - 3.3V
速度
70ns
待机
电流（I
SB
),
最大
170µA
球Congiguration
1
A
B
C
D
E
F
G
H
LB
I / O
8
I / O
9
球说明
3
A
0
A
3
A
5
A
17
A
21
A
14
A
12
A
9
2
OE
UB
I / O
10
4
A
1
A
4
A
6
A
7
A
16
A
15
A
13
A
10
5
A
2
CE
I / O
1
I / O
3
I / O
4
I / O
5
WE
A
11
6
ZZ
I / O
0
I / O
2
V
CC
V
SS
I / O
6
I / O
7
A
20
引脚名称
A
0
-A
21
WE
CE
ZZ
OE
LB
UB
I / O
0
-I / O
15
V
CC
V
SS
V
CCQ
V
SSQ
引脚功能
地址输入
写使能输入
芯片使能输入
深度睡眠输入
输出使能输入
低字节使能输入
高字节使能输入
数据输入/输出
动力
地
电源I / O只
只有地面的I / O
V
SSQ
I / O
11
V
CCQ
I / O
12
I / O
14
I / O
13
I / O
15
A
18
A
19
A
8
48引脚的BGA （顶视图）
6毫米x 8毫米
库存号23357-冯ê 07/05
此设备的规格如有变更，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.nanoamp.com 。
1
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