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    N64T1630C1B 参数 Datasheet PDF下载

    N64T1630C1B图片预览
    型号： N64T1630C1B
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 64MB超低功耗异步CMOS PSRAM 4M 】 16位 [64Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS PSRAM 4M 】 16 Bits]
    分类和应用： 静态存储器
    文件页数/大小： 18 页 / 349 K
    品牌： NANOAMP [ NANOAMP SOLUTIONS, INC. ]
     浏览型号N64T1630C1B的Datasheet PDF文件第1页浏览型号N64T1630C1B的Datasheet PDF文件第2页浏览型号N64T1630C1B的Datasheet PDF文件第3页浏览型号N64T1630C1B的Datasheet PDF文件第4页浏览型号N64T1630C1B的Datasheet PDF文件第6页浏览型号N64T1630C1B的Datasheet PDF文件第7页浏览型号N64T1630C1B的Datasheet PDF文件第8页浏览型号N64T1630C1B的Datasheet PDF文件第9页  
    纳安解决方案公司
    表8：计时
    项
    读周期时间
    页模式周期时间
    地址访问时间
    页模式访问时间
    芯片使能到输出有效
    输出使能到输出有效
    读
    周期
    字节选择有效输出
    芯片使能为低阻抗输出
    输出使能为低阻抗输出
    字节选择低阻抗输出
    芯片禁用到高阻输出
    输出禁止到高阻输出
    字节选择Disable输出高阻态
    从地址变更输出保持
    写周期时间
    页面模式最大写周期
    芯片使能有效时间
    芯片使能高电平时间
    芯片使能写操作的结束
    地址有效到写结束
    字节选择要写入的结束
    写
    周期
    芯片使能为低-Z
    把脉冲宽度
    写恢复时间
    写入输出高阻态
    地址建立时间
    数据写入时间重叠
    从时间写数据保持
    结束写入低-Z输出
    WE高时间
    页写周期时间
    页面模式写入数据的时间重叠
    从写时间页模式数据保持
    符号
    t
    RC
    t
    PC
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    AA
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    PA
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    CO
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    OE
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    BO
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    BLZ
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    HZ
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    OHZ
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    BHZ
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    OH
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    WC
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    PGMAX
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    CE
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    CEH
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    CW
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    AW
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    BW
    t
    LZ
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    WP
    t
    WR
    t
    WHZ
    t
    AS
    t
    DW
    t
    DH
    t
    OW
    t
    WEH
    t
    PWC
    t
    PDW
    t
    PDH
    N64T1630C1B
    超前信息
    -70
    民
    70
    25
    70
    25
    70
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    0
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    20k
    20k
    20k
    5
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    45
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    0
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    最大
    20k
    单位
    ns
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    ns
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    库存号23357-冯ê 07/05
    此设备的规格如有变更，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.nanoamp.com 。
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