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N64T1630C1B 参数 Datasheet PDF下载

N64T1630C1B图片预览
型号: N64T1630C1B
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内容描述: 64MB超低功耗异步CMOS PSRAM 4M 】 16位 [64Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS PSRAM 4M 】 16 Bits]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 18 页 / 349 K
品牌: NANOAMP [ NANOAMP SOLUTIONS, INC. ]
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纳安解决方案公司
图1 :功能框图
页面
地址
解码
逻辑
地址
解码
逻辑
N64T1630C1B
超前信息
地址
输入
A
4
- A
21
地址
输入
A
0
- A
3
4096K ×16
内存
ARRAY
输入/
产量
MUX
缓冲器
I / O
0
- I / O
7
I / O
8
- I / O
15
CE
WE
OE
UB
LB
控制
逻辑
ZZ
表2 :功能描述
CE
H
L
L
L
L
H
WE
X
L
H
H
L
X
OE
X
X
3
L
H
X
X
UB / LB
X
L
1
L
1
L
X
X
ZZ
H
H
H
H
L
L
I / O
1
高Z
DATA IN
数据输出
高Z
高-Z
高-Z
模式
待机
2
活跃
设置注册
深度睡眠
动力
待机
活跃
活跃
待机
4
活跃
深度睡眠
1.当UB和LB在选择模式(低) , I / O
0
- I / O
15
受到影响,如图所示。当LB不仅是在选择模式下
I / O
0
- IO
7
受到影响,如图所示。当UB是在选择模式下的I / O
8
- I / O
15
受到影响,如图所示。
2.当设备处于待机模式时,控制输入(WE , OE) ,地址输入端和数据输入/输出是内部异
从任何外部影响迟来,并从外部施加任何影响禁用。
3.当我们被调用时, OE输入在内部禁用并具有对电路没有影响。
表3 :电容
1
输入电容
I / O容量
符号
C
IN
C
I / O
测试条件
V
IN
= 0V , F = 1 MHz时,T
A
= 25
o
C
V
IN
= 0V , F = 1 MHz时,T
A
= 25
o
C
最大
6
6
单位
pF
pF
1,这些参数在设备特性验证,并非100%测试
库存号23357-冯ê 07/05
此设备的规格如有变更,恕不另行通知。对于最新的文档,请参见http://www.nanoamp.com 。
2