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M25P16-VMN6G 参数 Datasheet PDF下载

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型号: M25P16-VMN6G
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内容描述: 16兆位串行闪存, 75 MHz的SPI总线接口 [16 Mbit, serial Flash memory, 75 MHz SPI bus interface]
分类和应用: 闪存内存集成电路光电二极管时钟
文件页数/大小: 55 页 / 1057 K
品牌: NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
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说明
M25P16
6.11
深度掉电( DP )
执行深度掉电( DP )指令是把设备的唯一途径
最低功耗模式(深度省电模式) 。它也可以用作一个软件
保护机制,而该设备在处于非活动使用中,当在这种模式下,该设备
忽略所有写操作,编程和擦除指令。
驱动芯片选择(S )高取消选择该设备,并将该设备在待机模式
(如果当前没有进行中的内部循环)。但是,这种模式是不深电源 -
关断模式。在深度掉电模式只能通过执行深层进入
掉电(DP)的指令,随后减小待机电流(从我
CC1
到我
CC2
,
在特定网络版
取设备出深度掉电模式下,从深度掉电发布和
阅读电子签名( RES )指令必须出具。没有其他的指令必须是
发出,而该设备处于深度掉电模式。
从深度掉电和阅读电子签名( RES )指令还发布
允许该装置的电子签名是在串行数据输出( Q)的输出。
掉电深模式会自动停在断电和设备始终
权力在待机模式。
深掉电( DP )指令是由驱动芯片选择(S )低输入,然后
通过串行数据输入( D)的指令代码。芯片选择(S )必须驱动为低
该序列的整个持续时间。
该指令序列示于
芯片选择( S)必须驱动为高电平后的指令代码第八位已
锁存,否则不执行深度掉电( DP )指令。立刻
芯片选择( S)被驱动为高电平,它需要吨的延迟
DP
电源电流减小前
到我
CC2
和深度掉电模式进入。
任何深度掉电( DP )的指令,而擦除,编程或写周期
进步,被拒绝,而不必在周期过程中的任何影响。
图18.深度掉电( DP )指令序列
S
0
C
指令
D
1
2
3
4
5
6
7
t
DP
待机模式
深度掉电模式
AI03753D
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