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M25P16-VMN6G 参数 Datasheet PDF下载

M25P16-VMN6G图片预览

型号：	M25P16-VMN6G
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内容描述：	16兆位串行闪存， 75 MHz的SPI总线接口 [16 Mbit, serial Flash memory, 75 MHz SPI bus interface]
分类和应用：	闪存内存集成电路光电二极管时钟
文件页数/大小：	55 页 / 1057 K
品牌：	NUMONYX [ NUMONYX B.V ]

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说明

M25P16

从深度掉电和阅读电子签名（ RES ）指令图19.发布

序列和数据输出序列

S

0

C

指令

3虚拟字节

t

RES2

1

2

3

4

5

6

7

8

9 10

28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38

D

高阻抗

Q

23 22 21

最高位

3

2

1

0

电子签名退房

7

最高位

深度掉电模式

待机模式

AI04047C

6

5

4

3

2

1

0

1. 8位的电子签名的值，对于M25P16 ，是14小时。

从深度掉电（ RES ）指令序列图20.发布

S

0

C

指令

D

1

2

3

4

5

6

7

t

RES1

高阻抗

Q

深度掉电模式

待机模式

AI04078B

驱动芯片选择（ S）高8位字节的指令后，已经收到了设备，但在此之前

整个8位电子签名的已发送的第一次（如图

仍然保证了设备投入备用电源模式。如果该设备不是以前在深

掉电模式，过渡到备用电源模式是即时的。如果器件先前

在深度掉电模式下，虽然，过渡到备用电源模式滞后T

RES1

,

和片选（ S）必须保持高电平至少吨

RES1

（最大值）。一旦进入备用电源模式下，

设备等待被选择的，使得它可以接收，解码和执行指令。

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