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M28W640HCT70N6E 参数 Datasheet PDF下载

M28W640HCT70N6E图片预览
型号: M28W640HCT70N6E
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内容描述: 64兆位(4 MB ×16 ,引导块) 3 V电源闪存 [64 Mbit (4 Mb x 16, boot block) 3 V supply Flash memory]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 72 页 / 1310 K
品牌: NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
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命令接口
M28W640HCT , M28W640HCB
擦除中止复位是否变为V
IL
。数据完整性无法保证何时擦除
操作中止,该块必须再次删除。
在擦除操作的内存将接受读状态寄存器命令
编程/擦除挂起命令,其他所有的命令都将被忽略。典型的擦除
时间在给定的
SEE
用于建议的流程图
使用擦除命令。
4.6
程序命令
存储器阵列可以被编程字的字。两个总线写周期需要
发行方案的命令:
第一个总线周期设置程序的命令。
所述第二锁存器的地址和要写入的数据,并启动
编程/擦除控制器。
在程序操作的内存将接受读状态寄存器命令
编程/擦除挂起命令。典型的计划时间是在给定的
编程中止复位是否去V
IL
。数据完整性无法保证时,
程序操作被中止,包含内存位置的块必须被擦除和
重新编程。
SEE
对于使用该流程图
该计划的命令。
4.7
双Word程序命令
这个功能被提供来改善编程吞吐量,书写的两个页面
在parallel.The相邻字两个字必须区别只为A0的地址。程序设计
不应该尝试当V
PP
是不是在V
PPH
.
三总线写周期是必要发出双Word程序命令:
第一个总线周期设置了双Word程序命令
第二总线周期锁存地址和将要写入的第一个字的数据
第三总线周期,锁存地址和第二个字的数据被写入
并启动编程/擦除控制器。
读操作输出状态寄存器的内容节目开始后。
编程中止复位是否去V
IL
。数据完整性无法保证时,
程序操作被中止,包含内存位置的块必须被擦除和
重新编程。
SEE
对于
流程图使用双字编程命令。
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