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M28W640HCT70N6E 参数 Datasheet PDF下载

M28W640HCT70N6E图片预览
型号: M28W640HCT70N6E
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内容描述: 64兆位(4 MB ×16 ,引导块) 3 V电源闪存 [64 Mbit (4 Mb x 16, boot block) 3 V supply Flash memory]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 72 页 / 1310 K
品牌: NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
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巴士业务
M28W640HCT , M28W640HCB
3
巴士业务
有迹象表明,控制装置六个标准总线操作。这些总线读,公交车
写,输出禁用,待机,自动待机和复位。看
为摘要。
典型地小于5纳秒片上的毛刺使能或写使由被忽略
内存,不影响公交车运营。
3.1
读总线操作用于输出存储器阵列的内容,电子
签名,状态寄存器和通用闪存接口。这两个芯片使能和
输出使能必须在V
IL
为了执行读取操作。该芯片使能输入
应该用于启用设备。输出使能应该用于栅极的数据到
输出。的数据读出依赖于写入到所述存储器中的先前的命令(见
SEE
为当输出变为有效的细节。
所述存储器阵列的读操作可以在异步页模式,来执行该
提供了一种快速的存取时间。数据在内部读出并存储在页缓冲区中。页面
具有4个字的尺寸和由A0 -A1中的地址输入处理。读取的操作
电子签名,状态寄存器,命令的Flash界面,对块保护
状态,配置寄存器状态和安全码被作为进行
异步读取周期(随机读取) 。这两个芯片使能,E和输出使能,G ,
必须是在V
IL
为了读出的存储器的输出端(见
阅读模式是设备的默认状态退出复位或上电后时。
3.2
总线写操作的写命令到存储器或锁存器的输入数据来进行编程。
开始写操作时,芯片使能和写使能是在V
IL
与输出
能在V
IH
。命令,输入数据和地址锁存写的上升沿
启用或芯片使能,以先到为准。
SEE
写的AC波形,并
写AC
特性,为的时序要求的细节。
3.3
输出禁用
数据输出为高阻抗时,输出使能是在V
IH
.
3.4
待机
待机禁用大部分内部电路允许大幅减少电流
消费。内存处于待机状态时,芯片使能是在V
IH
并且该设备是在
阅读模式。的功耗降低到备用水平,并输出设置
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