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M28W640HCT70N6E 参数 Datasheet PDF下载

M28W640HCT70N6E图片预览
型号: M28W640HCT70N6E
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内容描述: 64兆位(4 MB ×16 ,引导块) 3 V电源闪存 [64 Mbit (4 Mb x 16, boot block) 3 V supply Flash memory]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 72 页 / 1310 K
品牌: NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
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M28W640HCT , M28W640HCB
巴士业务
高阻抗,独立于输出使能或写使能输入。如果芯片
启用切换到V
IH
编程或擦除操作时,器件进入待机
模式结束的时候。
3.5
自动待机
自动待机时读取模式提供了一个低功耗状态。继
读操作时,器件进入后150 ns的总线闲置即使自动待机
芯片使能为低,V
IL
和电源电流减小到我
DD1
。数据输入/输出
如果将总线读操作过程中还是输出数据。
3.6
RESET
在复位模式时,输出使能为低,V
IL
,内存和取消的
输出为高阻抗。内存是在复位模式下,当Reset为V
IL
。电源
消耗减少到备用水平,独立于芯片使能,输出
启用或写使能输入。如果复位被拉至V
SS
编程或擦除,这期间
操作中止,存储的内容不再有效。
表2中。
巴士业务
(1)
E
V
IL
V
IL
V
IL
V
IH
X
G
V
IL
V
IH
V
IH
X
X
W
V
IH
V
IL
V
IH
X
X
RP
V
IH
V
IH
V
IH
V
IH
V
IL
WP
X
X
X
X
X
V
PP
不关心
V
DD
或V
PPH
不关心
不关心
不关心
DQ0-DQ15
数据输出
数据输入
高阻
高阻
高阻
手术
总线读
总线写
输出禁用
待机
RESET
1, X = V
IL
或V
IH
, V
PPH
= 12 V ± 5%.
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