设备操作
NAND04G - B2D , NAND08G - BXC
6.4
多平面页面编程
该设备支持多平面网页的程序,它使两个编程
在平行页面,一个在每个平面上。
一个多平面页编程操作需要以下两个步骤:
1.
第一步串行加载到两页的数据( 4224字节)到数据缓冲区。它
要求:
–
–
–
–
一个时钟周期来设置页面编程命令(见
5总线写周期输入第一页的地址和数据。所述第一地址
页必须是第一个平面( A18 = 0)内。
一个总线写周期发出的页编程确认代码。在此之后,该
设备忙为时间t的
IPBSY 。
当设备返回到就绪状态(就绪/忙高) ,一个多平面页
程序安装程序代码,必须发出,接着是第二页地址( 5写入
周期)和数据。第2页的地址必须是在第二平面内
(A18 = 1).
2.
在平行的两页的数据加载到数据缓冲到第二步骤的程序
相应的内存页。它是通过发出一个程序确认开始
命令。
至于标准页编程操作,该设备支持在这两个随机数据输入
数据加载阶段。
一旦该多平面页面编程操作已启动,即是t的延迟时
IPBSY
中,
状态寄存器可以通过读状态寄存器命令来读取。
一旦多平面页面编程操作完成后, P / E / R控制器位是SR6
设置为“1”和就绪/忙信号变为高电平。
如果多平面页面程序出现故障,发出错误信号的状态寄存器的位SR0 。
知道哪些页面的两个平面的失败,则读取状态增强命令必须是
每个平面发出两次,一次(见
提供的多平面页编程的波形的说明。
图13.多平面网页程序的波形
tIPBSY
RB
忙
I / O
80h
地址输入
A18=0
数据输入
11h
80h(1)
地址输入
A18=1
(程序闲时间)
tBLBH2
忙
数据输入
10h
CON连接RM
CODE
70h
SR0
页编程
安装程序代码
确认多平面页
CODE
项目设置
CODE
读状态寄存器
ai13171b
1. 81H设置代码也是可以接受的向后兼容性。
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