恒忆™嵌入式闪存（ J3 V 。 D）
7.2
编写规范
表11 ：写操作
#
符号
参数
密度
适用于所有
速度
民
32兆位
W1
t
PHWL
(t
PHEL
)
RP ＃高价回收到WE＃ （ CE
X
）走出低
64兆位
128兆位
W2
W3
W4
W5
W6
W7
W8
W9
W11
W12
W13
W15
t
ELWL
(t
WLEL
)
t
WP
t
DVWH
(t
DVEH
)
t
AVWH
(t
AVEH
)
t
WHEH
(t
EHWH
)
t
WHDX
(t
EHDX
)
t
WHAX
(t
EHAX
)
t
WPH
t
VPWH
(t
VPEH
)
t
WHGL
(t
EHGL
)
t
WHRL
(t
EHRL
)
t
QVVL
CE
X
（ WE＃ ）低WE＃ （ CE
X
）走出低
把脉冲宽度
数据建立到WE＃ （ CE
X
）变高
地址设置到WE＃ （ CE
X
）变高
CE
X
（ WE＃ ）持有WE＃ （ CE
X
）高
从WE＃数据保持（ CE
X
）高
从WE＃地址保持（ CE
X
）高
写脉冲宽高
V
笔
安装到WE＃ （ CE
X
）变高
之前读写恢复
WE＃ （ CE
X
）高到STS走出低
V
笔
从有效SRD举行，STS变高
0
所有
150
180
210
0
60
50
55
0
0
0
30
0
35
500
ns
1,2,4
1,2,4
1,2,5
1,2,5
1,2,
1,2,
1,2,
1,2,6
1,2,3
1,2,7
1,2,8
1,2,3,8,9
最大
1,2,3
单位
笔记
注意事项：
CE
X
低被定义为CE0 ， CE1 ， CE2或的第一边缘，使设备。 CE
X
高被限定在CE0 ， CE1 ， CE2或的第一边缘是显示
禁止进入的设备。
1.
阅读过程中块擦除，编程和锁定位配置操作时序特性是相同的时
只读操作。请参阅
交流特性 - 只读操作。
2.
写操作可以启动和终止，要么CE
X
或WE ＃ 。
3.
采样，未经100％测试。
4.
把脉冲宽度（T
WP
）从CE的定义
X
或WE ＃变低（取变低为止） ，以CE
X
或WE ＃变为高电平
（取高电平在前） 。因此，T
WP
= t
WLWH
= t
ELEH
= t
WLEH
= t
ELWH
.
5.
请参阅
为有效的A
IN
和D
IN
块擦除，
程序或锁定位配置。
6.
写脉冲宽度高（T
WPH
）从CE的定义
X
或WE ＃变高（取变高先）向行政长官
X
或WE ＃去
低（两者为低优先）。因此，T
WPH
= t
WHWL
= t
EHEL
= t
WHEL
= t
EHWL
.
7.
对于数组访问，T
AVQV
需要除了吨
WHGL
对于一个写之后的任何访问。
8.
STS时序是基于配置的RY / BY ＃默认模式STS 。
9.
V
笔
应在V举行
金边
直到确定块擦除，编程或锁定位配置成功（ SR [ 1,3,4,5 ]
= 0).
2007年11月
308551-05
数据表
27
NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
