恒忆™嵌入式闪存（ J3 V 。 D）
注意：
为了向前兼容的原因，如果8字异步页模式上使用
恒忆™嵌入式闪存（ J3 V ， D） ，一个清除状态寄存器命令必须
发出集增强配置寄存器命令之后被执行。看
对于进一步的细节。
表16 ：增强的配置寄存器
版权所有
ECR
15
ECR
14
页面
长
ECR
13
ECR
12
ECR
11
ECR
10
ECR
9
ECR
8
ECR
7
版权所有
ECR
6
ECR
5
ECR
4
ECR
3
ECR
2
ECR
1
ECR
0
位
ECR [ 15:14]
ECR[13]
ECR的[12：0 ]
俄罗斯足协
•
•
俄罗斯足协
描述
笔记
所有比特应置为0 。
“ 1 ” = 8字的页面模式
“ 0 ” = 4字页模式
所有比特应置为0 。
表17 ：异步8字的页面模式命令总线周期定义
命令
设置增强型配置
注册（ ECR集）
公共汽车
周期
需要
2
第一总线周期
OPER
写
ADDR
(1)
ECD
数据
0060h
OPER
写
第二个总线周期
ADDR
(1)
ECD
数据
0004h
1， X =设备内的任何有效地址。 ECD =增强型配置寄存器数据
8.1.2
输出禁用
与CEX断言，并在逻辑高电平OE ＃ （V
IH
） ，该装置的输出被禁止。
输出信号D [ 15 ：0]被置于高阻抗状态。
8.2
总线写入
书写或编程到设备上，是其中所述主机写入信息或数据转换成
闪光装置为非易失性存储装置。当闪存设备进行编程， “1”的
更改为“零” 。 '零'不能进行编程回的“1” 。要做到这一点，一个擦除
操作必须被执行。写命令到命令用户界面（CUI）
使各种操作模式，其中包括：
•读取阵列数据
•通用闪存接口（ CFI ）数据
•标识符代码，检查和清除的状态寄存器
•块擦除，编程和锁定位配置（当V
笔
= V
金边
)
擦除以块为基础进行的 - 块中的所有闪存单元一起被擦除。
预先存储在块中的任何信息或数据将丢失。擦除一般
在编程之前完成。块擦除命令需要相应的命令
数据和所述块内的地址被删除。该字节/ Word程序命令
需要的命令和要被写入的位置的地址。设置块锁定位
命令需要在装置内的命令和块被锁定。清除
块锁定位命令需要在设备中的命令和地址是
清除。
2007年11月
308551-05
数据表
33
NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
