恒忆™嵌入式闪存（ J3 V 。 D）
8.0
总线接口
本节提供了总线的操作的概述。
基本上，有三种操作就可以
做快闪记忆体：读取，编程（写）和Erase.The
片上写状态机
（ WSM ）管理所有擦除和编程算法。系统CPU提供所有在系统读取控制，
写，并通过系统总线擦除操作。
所有的总线周期来或从闪速存储器
符合标准的微处理器总线周期。
总结了必要的
针对不同的操作模式，每个控制信号的状态。
表14 ：公交运营
模式
异步。 ，状态查询和标识符
读和写
输出禁用
待机
复位/掉电
命令写入
数组写入
(8)
注意事项：
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
RP ＃
CE
x
(1)
OE ＃
(2)
WE＃
(2)
V
笔
DQ
15:0(
3)
STS
（默认
模式）
高Z
高Z
高Z
高Z
高Z
V
IL
笔记
V
IH
V
IH
V
IH
V
IL
V
IH
V
IH
启用
启用
关闭
d
X
启用
启用
V
IL
V
IH
X
X
V
IH
V
IH
V
IH
V
IH
X
X
V
IL
V
IL
X
X
X
X
X
V
金边
D
OUT
高Z
高Z
高Z
D
IN
X
4,6
6,7
8,5
SEE
为有效CE
x
精读网络gurations 。
OE ＃和WE ＃不应该同时有效。如果这样做， OE ＃覆盖WE＃ 。
DQ指到DQ [7：0 }当字节＃为低电平和DQ [15：0 ]如果BYTE ＃是高电平。
≤
V
PENLK
，存储内容可以被读取，但不能修改。
请参考直流特性。当V
笔
X应该是V
IL
或V
IH
用于控制管脚和第五
PENLK
或V
金边
对于V
笔
。对于输出，X应该是V
OL
或V
OH
.
在默认模式下， STS为V
OL
当WSM正在执行内部块擦除，编程或锁定位配置
算法。它是V
OH
当WSM不忙，在块擦除（通过外部上拉电阻〜= 10k的上拉）
暂停模式（编程无效） ，程序挂起模式，或复位掉电模式。
SEE
对于一个写操作过程中有效DIN （用户命令）
手术
数组写入或者是编程或擦除操作。 /
表15 ：芯片使能真值表
CE2
V
IL
V
IL
V
IL
V
IL
V
IH
V
IH
V
IH
V
IH
注意：
CE1
V
IL
V
IL
V
IH
V
IH
V
IL
V
IL
V
IH
V
IH
GND
.
CE0
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
设备
启用
残
残
残
启用
启用
启用
残
为单芯片应用， CE2和CE1可以连接到
接下来的几个部分，每个部分的基本闪光灯操作和一些详细
适用于闪存的高级功能。
2007年11月
308551-05
数据表
31
NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
