恒忆™嵌入式闪存（ J3 V 。 D）
8.1
总线读
从闪速存储器中读出输出所存储的信息到处理器或芯片组，并
不改变任何内容。读数可以执行任意数量的
次。除了阵列的数据，其它类型的数据，如设备信息和设备
状态是可从闪光。
执行总线读操作时， CEX和OE ＃必须被认定。 CEX是于设备
选择控制;当激活时，它可以使闪存设备。 OE＃为数据输出
控制;活性时，被寻址的闪速存储器中的数据被驱动到I / O总线。为
所有的阅读状态， WE＃和＃ RP必须撤除。
8.1.1
异步页模式阅读
有两个异步页模式配置可在恒忆™
嵌入式闪存（ J3 V·D ） ，根据系统的设计要求：
•四Word页面模式：这是上电或复位默认模式。数组数据
可以感测到4个字（ 8字节）的时间。
•八字的页面模式：阵列的数据可以被检测多达8个字（ 16字节）
时间。这种模式必须在上电启动或通过使用命令重置
按顺序描述
地址
位A [ 3：1]确定哪个单词是在读取操作期间输出和A [3 ：0]的
确定哪些字节是输出为X8总线宽度。
在初始接入的延迟后，第一个字从页缓冲器的对应于
起始地址。在四字页模式，地址位A [ 2 ： 1 ]确定哪些词是
从一个x16总线宽度的页缓冲器输出，并且A [2：0 ]确定哪个字节是
从一个x8的总线宽度的页缓冲器输出。随后从设备读
来自页缓冲器。这些读操作是输出通过D [ 15：0]为x16总线宽度和
D [ 7：0]为一个最小延迟时间后一个x8的总线宽度，只要A [2 ：0]（四Word页面
模式）或A [3： 0]（八Word页面模式）。
数据可以从页缓冲器多次读取，并以任何顺序。在四言
页模式下，如果地址位A [MAX ： 3 ] （ A [ MAX ： 4]八字的页面模式）的变化在
任何时间，或者如果CE＃被触发，该装置将感测和新的数据加载到页
缓冲区。异步页模式是上电或复位默认读取模式。
执行后的任何其他操作阅读页面模式下，读阵列命令必须
发行从闪存阵列读取。异步页面模式读取允许在
所有的块和用于访问寄存器的信息。在寄存器的访问，只有一个
字被加载到页缓冲器。
8.1.1.1
增强型配置寄存器（ ECR ）
增强的配置寄存器（ ECR）是易失性存储寄存器，当
通过设置增强型配置寄存器命令之间可以选择处理
四Word页面模式和八字的页面模式。在ECR是挥发性的;所有位将是
重置为默认值，当RP ＃被拉高或电源从设备中删除。
要修改ECR设置，请使用Set增强配置寄存器命令。该
集增强配置寄存器命令一起配置写
寄存器值，该值被放置在地址总线A的低16位[15：0 ] 。这是
接着，确认该操作，并再次呈现一个第二写
地址总线上增强配置寄存器的数据。执行此操作后
命令，将设备返回读取阵列模式。
ECR的示于
8字的页面模式命令总线周期中捕获
数据表
32
2007年11月
308551-05
NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
