FEDD5117805F-01
1
半导体
MSM5117805F
AC特性(1/3 )
(V
CC
= 5V
±
10 %以下,Ta = 0至70℃ ) Note1,2,3
参数
符号
MSM5117805
F-50
分钟。
随机读或写周期时间
读 - 修改 - 写周期时间
快速页模式周期时间
t
RC
t
RWC
t
HPC
84
110
20
58
0
5
0
0
0
0
1
30
50
50
7
7
7
7
35
马克斯。
50
13
25
30
13
13
13
13
13
50
32
10,000
100,000
10,000
MSM5117805
F-60
分钟。
104
135
25
68
0
5
0
0
0
0
1
40
60
60
10
10
10
10
40
马克斯。
60
15
30
35
15
15
15
15
15
50
32
10,000
100,000
10,000
MSM5117805
F-70
分钟。
124
160
30
78
0
5
0
0
0
0
1
50
70
70
13
13
10
13
45
马克斯。
70
20
35
40
20
20
20
20
20
50
32
10,000
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ns
ns
7,8
7,8
7
7
3
4, 5, 6
4,5
4,6
4
4
4
单位
记
快速页面模式读取 - 修改 - 写
t
HPRWC
周期
访问时间从
RAS
访问时间从
CAS
从列地址访问时间
访问时间从
CAS
预充电
访问时间从
OE
输出低阻抗时间
CAS
数据输出保持后
CAS
低
CAS
到数据输出缓冲器开启
关闭延迟时间
RAS
到数据输出缓冲器开启
关闭延迟时间
OE
到数据输出缓冲器关断
延迟时间
WE
到数据输出缓冲器开启
关闭延迟时间
转换时间
刷新周期
RAS
预充电时间
RAS
脉冲宽度
RAS
脉冲宽度
(与EDO快页模式)
RAS
保持时间
RAS
持有参考时间
OE
CAS
预充电时间
(与EDO快页模式)
CAS
脉冲宽度
CAS
保持时间
t
RAC
t
CAC
t
AA
t
注册会计师
t
OEA
t
CLZ
t
DOH
t
CEZ
t
苏亚雷斯
t
OEZ
t
WEZ
t
T
t
REF
t
RP
t
RAS
t
RASP
t
RSH
t
ROH
t
CP
t
CAS
t
CSH
100000 NS
10,000
ns
ns
ns
ns
ns
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