FEDD5117805F-01
1
半导体
MSM5117805F
AC特性( 2/3)
(V
CC
= 5V
±
10 %以下,Ta = 0至70℃ ) Note1,2,3
参数
CAS
to
RAS
预充电时间
符号
MSM5117805
F-50
分钟。
t
CRP
5
30
5
11
9
0
7
0
7
25
0
0
0
0
7
7
7
7
7
7
7
7
0
7
13
30
42
67
47
马克斯。
37
25
MSM5117805
F-60
分钟。
5
35
5
14
12
0
10
0
10
30
0
0
0
0
10
10
10
10
10
10
10
10
0
10
15
34
49
79
54
马克斯。
45
30
MSM5117805
F-70
分钟。
5
40
5
14
12
0
10
0
13
35
0
0
0
0
13
10
10
13
10
10
13
13
0
13
20
44
59
94
64
马克斯。
50
35
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
10
10
10
10
11
11
9
9
10
5
6
单位
记
RAS
从保持时间
CAS
预充电吨
RHCP
OE
从保持时间
CAS
( DQ禁用)
RAS
to
CAS
延迟时间
RAS
到列地址的延迟时间
行地址建立时间
行地址保持时间
列地址建立时间
列地址保持时间
列地址为
RAS
交货时间
读命令设置时间
读命令保持时间
读命令保持时间
参考
RAS
写命令设置时间
写命令保持时间
WRITE命令的脉冲宽度
WE
脉冲宽度( DQ禁用)
OE
命令保持时间
OE
预充电时间
OE
命令保持时间
写命令
RAS
交货时间
写命令
CAS
交货时间
数据中设置时间
数据保持时间
OE
到数据中的延迟时间
CAS
to
WE
延迟时间
列地址为
WE
延迟时间
RAS
to
WE
延迟时间
CAS
预充电
WE
延迟时间
t
CHO
t
RCD
t
拉德
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
拉尔
t
RCS
t
RCH
t
RRH
t
WCS
t
WCH
t
WP
t
WPE
t
OEH
t
OEP
t
OCH
t
RWL
t
CWL
t
DS
t
DH
t
OED
t
CWD
t
AWD
t
RWD
t
CPWD
7/16