FEDD5117805F-01
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半导体
MSM5117805F
注:为200ps的1.启动延时上电后是必需的,其次是最低八初始化
循环性(RAS -只刷新或
CAS
前
RAS
刷新)器件正常工作之前实现。
2. AC特性假定吨
T
= 2ns的。
3. V
IH
(分钟)和V
IL
(最大)为参考电平测量输入信号的时序。转换时间(T
T
)
V的测量
IH
和V
IL
.
4. -50度用相当于2TTL负载和50pF的,和-60 / -70的负载电路的测量使用
负载电路相当于2TTL负荷和100pF的。
内的T 5.操作
RCD
(最大值)限制确保吨
RAC
(最大)可以得到满足。
t
RCD
(最大)被指定为唯一的一个参考点。如果T
RCD
大于指定吨
RCD
(最大值)的限制,
然后存取时间为t控制
CAC
.
内的T 6.操作
拉德
(最大值)限制确保吨
RAC
(最大)可以得到满足。
t
拉德
(最大)被指定为唯一的一个参考点。如果T
拉德
大于指定吨
拉德
(最大值)的限制,
然后存取时间为t控制
AA
.
7. t
CEZ
(最大),叔
苏亚雷斯
(最大),叔
WEZ
(最大) ,和叔
OEZ
(最大)限定在其中的输出取得的时间
开路状态,没有被引用到输出电压电平。
8. t
CEZ
和叔
苏亚雷斯
必须满足开路状态。
9. t
RCH
或T
RRH
必须满足一个读周期。
10. t
WCS
, t
CWD
, t
RWD
, t
AWD
和T
CPWD
不是限制性的操作参数。它们被包括在数据
片作为唯一的电气特性。如果T
WCS
≥
t
WCS
(分钟) ,然后将周期是一个早期的写周期和
出来的数据将保持开路(高阻抗)的整个周期。如果T
CWD
≥
t
CWD
(分钟),叔
RWD
≥
t
RWD
(分钟),叔
AWD
≥
t
AWD
(分钟)和叔
CPWD
≥
t
CPWD
(分钟) ,则该循环的读取修改
写周期和数据输出将包含从所选择的单元中读取数据;如果既不是上述套
条件被满足,则该数据列的条件(在存取时间)是不确定的。
11.这些参数是参照
CAS ,
前缘在早期的写周期,并以所述
WE
前缘在一
OE
控制写入周期,或读 - 修改 - 写周期。
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