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MMBT4401LT1G 参数 Datasheet PDF下载

MMBT4401LT1G图片预览
型号: MMBT4401LT1G
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内容描述: 开关晶体管( NPN硅) [Switching Transistor(NPN Silicon)]
分类和应用: 晶体开关晶体管光电二极管
文件页数/大小: 8 页 / 156 K
品牌: ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
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MMBT4401LT1
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
特征
开关特性
集电极发射极击穿电压(注3 )
(I
C
= 1.0 MADC ,我
B
= 0)
集电极基极击穿电压
(I
C
= 0.1 MADC ,我
E
= 0)
发射-Base击穿电压
(I
E
= 0.1 MADC ,我
C
= 0)
基地截止电流
(V
CE
= 35 VDC ,V
EB
= 0.4伏)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 35 VDC ,V
EB
= 0.4伏)
基本特征(注3 )
直流电流增益
(I
C
= 0.1 MADC ,V
CE
= 1.0伏)
(I
C
= 1.0 MADC ,V
CE
= 1.0伏)
(I
C
= 10 MADC ,V
CE
= 1.0伏)
(I
C
= 150 MADC ,V
CE
= 1.0伏)
(I
C
= 500 MADC ,V
CE
= 2.0伏)
集电极发射极饱和电压
(I
C
= 150 MADC ,我
B
= 15 MADC )
(I
C
= 500 MADC ,我
B
= 50 MADC )
基地发射极饱和电压
(I
C
= 150 MADC ,我
B
= 15 MADC )
(I
C
= 500 MADC ,我
B
= 50 MADC )
小信号特性
电流 - 获得 - 带宽积
(I
C
= 20 MADC ,V
CE
= 10 VDC , F = 100兆赫)
集电极 - 基极电容
(V
CB
= 5.0伏,我
E
= 0中,f = 1.0 MHz)的
发射极 - 基极电容
(V
EB
= 0.5伏,我
C
= 0中,f = 1.0 MHz)的
输入阻抗
(I
C
= 1.0 MADC ,V
CE
= 10 VDC , F = 1.0千赫)
电压反馈比例
(I
C
= 1.0 MADC ,V
CE
= 10 VDC , F = 1.0千赫)
小-Signal电流增益
(I
C
= 1.0 MADC ,V
CE
= 10 VDC , F = 1.0千赫)
输出导纳
(I
C
= 1.0 MADC ,V
CE
= 10 VDC , F = 1.0千赫)
开关特性
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
(V
CC
= 30伏直流电,V
EB
= 2.0伏,
I
C
= 150 MADC ,我
B1
= 15 MADC )
(V
CC
= 30伏直流电,我
C
= 150 MADC ,
I
B1
= I
B2
= 15 MADC )
t
d
t
r
t
s
t
f
15
20
225
30
ns
ns
f
T
250
C
cb
C
eb
h
ie
1.0
h
re
0.1
h
fe
40
h
oe
1.0
30
500
毫姆欧
8.0
15
X 10
− 4
30
kW
6.5
pF
pF
兆赫
h
FE
20
40
80
100
40
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
0.75
0.95
1.2
0.4
0.75
VDC
300
V
( BR ) CEO
40
V
( BR ) CBO
60
V
( BR ) EBO
6.0
I
BEV
I
CEX
0.1
0.1
MADC
MADC
VDC
VDC
VDC
符号
最大
单位
VDC
3.脉冲测试:脉冲宽度
300
女士,
占空比
2.0%.
http://onsemi.com
2