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    MMBT4401LT1G 参数 Datasheet PDF下载

    MMBT4401LT1G图片预览
    型号： MMBT4401LT1G
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 开关晶体管（ NPN硅） [Switching Transistor(NPN Silicon)]
    分类和应用： 晶体开关晶体管光电二极管
    文件页数/大小： 8 页 / 156 K
    品牌： ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号MMBT4401LT1G的Datasheet PDF文件第1页浏览型号MMBT4401LT1G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MMBT4401LT1G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MMBT4401LT1G的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MMBT4401LT1G的Datasheet PDF文件第5页浏览型号MMBT4401LT1G的Datasheet PDF文件第7页浏览型号MMBT4401LT1G的Datasheet PDF文件第8页  
    MMBT4401LT1
    静态特性
    3.0
    ^ h FE ，标准化的电流增益
    2.0
    V
    CE
    = 1.0 V
    V
    CE
    = 10 V
    T
    J
    = 125°C
    1.0
    25°C
    0.7
    0.5
    0.3
    0.2
    0.1
    −55
    °C
    0.2
    0.3
    0.5
    0.7
    1.0
    2.0
    3.0
    5.0 7.0 10
    20
    I
    C
    ，集电极电流（毫安）
    30
    50
    70
    100
    200
    300
    500
    图15.直流电流增益
    VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
    1.0
    0.8
    T
    J
    = 25°C
    0.6
    I
    C
    = 1.0毫安
    10毫安
    百毫安
    500毫安
    0.4
    0.2
    0
    0.01
    0.02 0.03
    0.05 0.07 0.1
    0.2
    0.3
    0.5 0.7 1.0
    I
    B
    ，基极电流（毫安）
    2.0
    3.0
    5.0 7.0
    10
    20
    30
    50
    图16.集电极饱和区
    1.0
    T
    J
    = 25°C
    0.8
    电压（伏）
    V
    BE （ SAT ）
    @ I
    C
    /I
    B
    = 10
    系数（MV /
    °
    C)
    +0.5
    0
    −0.5
    −1.0
    −1.5
    −2.0
    −2.5
    0.1 0.2
    q
    VB
    对于V
    BE
    0.5
    50
    1.0 2.0
    5.0 10 20
    I
    C
    ，集电极电流（毫安）
    100 200
    500
    q
    VC
    对于V
    CE （ SAT ）
    0.6
    V
    BE
    @ V
    CE
    = 10 V
    0.4
    0.2
    0
    V
    CE （ SAT ）
    @ I
    C
    /I
    B
    = 10
    0.1 0.2
    0.5
    50
    1.0 2.0 5.0 10 20
    I
    C
    ，集电极电流（毫安）
    100 200
    500
    图17为“ON”电压
    图18.温度系数
    http://onsemi.com
    6

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