MMBT4401LT1
小信号特性
噪声系数
V
CE
= 10 VDC ，T
A
= 25°C ;带宽= 1.0赫兹
10
8.0
NF ，噪声系数（dB ）
I
C
= 1.0毫安，R
S
= 150
W
I
C
= 500
毫安，
R
S
= 200
W
I
C
= 100
毫安，
R
S
= 2.0千瓦
I
C
= 50
毫安，
R
S
= 4.0千瓦
R
S
=优化
RS =
来源
RS =
阻力
10
F = 1.0千赫
8.0
NF ，噪声系数（dB ）
I
C
= 50
mA
I
C
= 100
mA
I
C
= 500
mA
I
C
= 1.0毫安
6.0
6.0
4.0
2.0
0
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0
男，频率（KHz ）
4.0
2.0
0
10
20
50
100
50
100 200
500 1.0 k 2.0 k 5.0 k 10 k 20 k
R
S
，源电阻（欧姆）
50 k 100 k
图9.频率的影响
图10.源电阻的影响
h参数值
V
CE
= 10 VDC ， F = 1.0千赫，T
A
= 25°C
这组曲线图的图示H中的关系
fe
和其他“h”的参数，这个系列的晶体管。为了获得
这些曲线中，高增益和低增益单元从MMBT4401LT1线被选中，并且在同一单位被用来
制定每个图上的相应编号的曲线。
300
缺氧缺血性脑病，输入阻抗（欧姆）
200
hFE参数，电流增益
50 k
20 k
10 k
5.0 k
MMBT4401LT1 UNIT 1
MMBT4401LT1 UNIT 2
100
70
50
30
20
0.1
MMBT4401LT1 UNIT 1
MMBT4401LT1 UNIT 2
2.0 k
1.0 k
500
0.1
0.2
0.3
0.5 0.7
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
I
C
，集电极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图11.电流增益
ħ重，电压反馈比例（ X 10
−4
)
10
锄头，输出导纳（
m
姆欧）
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
100
50
20
10
5.0
2.0
1.0
0.1
图12.输入阻抗
MMBT4401LT1 UNIT 1
MMBT4401LT1 UNIT 2
MMBT4401LT1 UNIT 1
MMBT4401LT1 UNIT 2
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
I
C
，集电极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图13.电压反馈比例
http://onsemi.com
5
图14.输出导纳
ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
