UNR221x系列
■
电气特性
T
a
=
25°C
±
3°C
参数
集电极 - 基极电压（发射极开路）
集电极 - 发射极电压（基本开）
集电极 - 基极截止电流（发射极开路）
集电极 - 发射极截止电流（基地开）
发射极 - 基
UNR2210/2215/2216/2217
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
条件
I
C
=
10
µA,
I
E
=
0
I
C
=
2毫安，我
B
=
0
V
CB
=
50 V，I
E
=
0
V
CE
=
50 V，I
B
=
0
V
EB
= −6
V，I
C
=
0
民
50
50
0.1
0.5
0.01
0.1
0.2
0.4
0.5
1.0
1.5
2.0
h
FE
V
CE
=
10 V，I
C
=
5毫安
6
20
30
35
60
60
80
80
160
V
CE （ SAT ）
V
OH
V
OL
I
C
=
10毫安，我
B
=
0.3毫安
I
C
=
10毫安，我
B
=
1.5毫安
V
CC
=
5 V, V
B
=
0.5 V ，R
L
=
1 kΩ
V
CC
=
5 V, V
B
=
2.5 V ，R
L
=
1 kΩ
V
CC
=
5 V, V
B
=
3.5 V ，R
L
=
1 kΩ
V
CC
=
5 V, V
B
=
10 V ，R
L
=
1 kΩ
V
CC
=
5 V, V
B
=
6 V ，R
L
=
1 kΩ
f
T
R
1
V
CB
=
10 V，I
E
= −2
毫安，女
=
200兆赫
−30%
150
0.51
1.0
2.2
4.7
10
22
47
+30%
兆赫
kΩ
4.9
0.2
V
V
400
460
0.25
V
200
20
典型值
最大
单位
V
V
µA
µA
mA
截止目前UNR2213
（集电极开路） UNR2212 / 2214 / 221D /
221E/221M/221N/221T
UNR221Z
UNR2211
UNR221F/221K
UNR2219
UNR2218/221L/221V
正向电流UNR221V
传输比
UNR2218/221K/221L
UNR2219/221D/221F
UNR2211
UNR2212/221E
UNR221Z
UNR2213/2214/221M
UNR221N/221T
UNR2210
*
/2215
*
/2216
*
/2217
*
集电极 - 发射极饱和电压
UNR221V
输出电压高级别
输出电压低级别
UNR2213/221K
UNR221D
UNR221E
跃迁频率
输入阻抗
UNR2218
UNR2219
UNR221M/211V
UNR2216/221F/221L/
221N/221Z
UNR2211/2214/2215/221K
UNR2212/2217/221T
UNR2210/2213/221D/221E
注） 1.测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法晶体管。
2. * ：等级分类
秩
h
FE
Q
160至260
R
210〜 340
S
290〜 460
无秩
160〜 460
2
SJH00010CED
PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
