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UN2213 参数 Datasheet PDF下载

UN2213图片预览
型号: UN2213
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内容描述: NPN硅外延平面晶体管 [Silicon NPN epitaxial planar transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 17 页 / 433 K
品牌: PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
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UNR221x系列
UNR2212的特性图
I
C
V
CE
T
a
=
25°C
I
B
=
1.0毫安
0.9毫安
0.8毫安
120
V
CE ( SAT )
I
C
集电极 - 发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
100
I
C
/ I
B
=
10
400
h
FE
I
C
V
CE
=
10 V
160
集电极电流I
C
(MA )
0.7毫安
0.6毫安
0.5毫安
0.4毫安
10
正向电流传输比H
FE
300
T
a
=
75°C
80
0.3毫安
1
T
a
=
75°C
200
25°C
−25°C
25°C
0.1
−25°C
40
0.2毫安
100
0.1毫安
0
0
2
4
6
8
10
12
0.01
0.1
1
10
100
0
1
10
100
1 000
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流I
C
(MA )
C
ob
V
CB
集电极输出电容
C( pF)的
(共同的基础,输入开路)
ob
6
f
=
1兆赫
I
E
=
0
T
a
=
25°C
I
O
V
IN
10
4
V
O
=
5 V
T
a
=
25°C
100
V
IN
I
O
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25°C
5
输出电流I
O
(µA)
4
3
10
2
输入电压V
IN
(V)
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
10
3
10
1
2
10
0.1
1
0
0.1
1
10
100
1
0.4
0.01
0.1
1
10
100
集电极 - 基极电压V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
(MA )
UNR2213的特性图
I
C
V
CE
T
a
=
25°C
I
B
=
1.0毫安
0.9毫安
0.8毫安
0.7毫安
0.6毫安
0.5毫安
0.4毫安
80
0.3毫安
V
CE ( SAT )
I
C
集电极 - 发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
100
I
C
/ I
B
=
10
h
FE
I
C
400
V
CE
=
10 V
160
正向电流传输比H
FE
集电极电流I
C
(MA )
120
10
300
T
a
=
75°C
25°C
−25°C
1
200
40
0.2毫安
25°C
0.1
−25°C
0.01
0.1
T
a
=
75°C
100
0.1毫安
0
0
2
4
6
8
10
12
1
10
100
0
1
10
100
1 000
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流I
C
(MA )
SJH00010CED
5