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UN2213 参数 Datasheet PDF下载

UN2213图片预览
型号: UN2213
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内容描述: NPN硅外延平面晶体管 [Silicon NPN epitaxial planar transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 17 页 / 433 K
品牌: PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
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UNR221x系列
电气特性(续)
T
a
=
25°C
±
3°C
参数
电阻比UNR221M
UNR221N
UNR2218/2219
UNR221Z
UNR2214
UNR221T
UNR221F
UNR221V
UNR2211/2212/2213/221L
UNR221K
UNR221E
UNR221D
0.8
1.70
1.70
3.7
0.37
0.17
0.08
符号
R
1
/R
2
条件
典型值
0.047
0.1
0.10
0.21
0.21
0.47
0.47
1.0
1.0
2.13
2.14
4.7
1.2
2.60
2.60
5.7
0.57
0.25
0.12
最大
单位
注)的测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法的晶体管。
共同的特征图
P
T
T
a
250
总功耗P
T
( mW)的
200
150
100
50
0
0
40
80
120
160
环境温度T
a
(
°C
)
UNR2210的特性图
I
C
V
CE
T
a
=
25°C
V
CE ( SAT )
I
C
集电极 - 发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
100
I
C
/ I
B
=
10
h
FE
I
C
400
V
CE
=
10 V
60
I
B
=
1.0毫安
0.9毫安
0.8毫安
正向电流传输比H
FE
50
集电极电流I
C
(MA )
10
300
T
a
=
75°C
25°C
200
−25°C
100
40
0.4毫安
0.5毫安
0.6毫安
0.7毫安
0.1毫安
30
0.3毫安
1
T
a
=
75°C
25°C
0.1
−25°C
0.01
0.1
20
10
0
0
1
10
100
0
2
4
6
8
10
12
1
10
100
1 000
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流I
C
(MA )
SJH00010CED
3