欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

P3C1041-20JI 参数 Datasheet PDF下载

P3C1041-20JI图片预览
型号: P3C1041-20JI
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 高速256K ×16 ( 4 MEG )静态CMOS RAM [HIGH SPEED 256K x 16 (4 MEG) STATIC CMOS RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 10 页 / 291 K
品牌: PYRAMID [ PYRAMID SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
 浏览型号P3C1041-20JI的Datasheet PDF文件第1页浏览型号P3C1041-20JI的Datasheet PDF文件第2页浏览型号P3C1041-20JI的Datasheet PDF文件第4页浏览型号P3C1041-20JI的Datasheet PDF文件第5页浏览型号P3C1041-20JI的Datasheet PDF文件第6页浏览型号P3C1041-20JI的Datasheet PDF文件第7页浏览型号P3C1041-20JI的Datasheet PDF文件第8页浏览型号P3C1041-20JI的Datasheet PDF文件第9页  
P3C1041
POWER DISSIPATION CHARACTERISTICS VS. SPEED
Symbol
I
CC
Parameter
Dynamic Operating Current*
Temperature
Range
Commercial
Industrial
–10
90
N/A
–12
85
95
–15
80
90
–20
75
85
Unit
mA
mA
*V
CC
= 3.6V. Tested with outputs open. f = Max. Switching inputs are 0V and 3V.
CE
= V
IL
,
OE
= V
IH
.
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS—READ CYCLE
(V
CC
= 3.3V ± 0.3V, All Temperature Ranges)
(2)
Sym.
t
RC
t
AA
t
AC
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
OE
Parameter
Read Cycle Time
Address Access Time
Chip Enable Access Time
Output Hold from Address Change
Chip Enable to Output in Low Z
Chip Disable to Output in High Z
Output Enable Low to Data Valid
-10
Min
10
10
10
3
3
5
5
3
3
Max
Min
12
-12
Max
12
12
3
3
6
6
Min
15
-15
Max
15
15
3
3
7
7
Min
20
-20
Max
20
20
Unit
ns
ns
ns
ns
ns
8
8
ns
ns
t
OLZ
t
OHZ
t
PU
t
PD
t
BE
t
LZBE
t
HZBE
Output Enable Low to Low Z
Output Enable High to High Z
Chip Enable to Power Up Time
Chip Disable to Power Down Time
Byte Enable to Data Valid
Byte Enable to Low Z
Byte Disable to High Z
0
5
0
10
5
0
6
0
6
0
12
6
0
6
0
7
0
15
7
0
7
0
8
0
20
8
0
8
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Document #
SRAM130
REV OR
Page 3 of 10