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    P4C198-12CI 参数 Datasheet PDF下载

    P4C198-12CI图片预览
    型号： P4C198-12CI
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    内容描述： 超高速16K ×4的静态CMOS RAMS [ULTRA HIGH SPEED 16K x 4 STATIC CMOS RAMS]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 13 页 / 232 K
    品牌： PYRAMID [ PYRAMID SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
     浏览型号P4C198-12CI的Datasheet PDF文件第3页浏览型号P4C198-12CI的Datasheet PDF文件第4页浏览型号P4C198-12CI的Datasheet PDF文件第5页浏览型号P4C198-12CI的Datasheet PDF文件第6页浏览型号P4C198-12CI的Datasheet PDF文件第8页浏览型号P4C198-12CI的Datasheet PDF文件第9页浏览型号P4C198-12CI的Datasheet PDF文件第10页浏览型号P4C198-12CI的Datasheet PDF文件第11页  
    P4C198/198L, P4C198A/198AL
    WRITE CYCLE NO. 2 (WE CONTROLLED)
    (13,14)
    WE
    1520 08
    WRITE CYCLE NO. 3 (CE
    (12)
    CONTROLLED)
    (13,14)
    CE
    Notes:
    13.
    CE
    (CE
    1
    ,
    CE
    2
    for P4C198A/L) and
    WE
    must be LOW for WRITE
    cycle.
    14.
    OE
    is LOW for this WRITE cycle.
    15. If
    CE
    (CE
    1
    or
    CE
    2
    for P4C198A/L) goes HIGH simultaneously with
    WE
    HIGH, the output remains in a high impedance state.
    16. Write Cycle Time is measured from the last valid address to the first
    transitioning address.
    Document #
    SRAM113
    REV A
    Page 7 of 13

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