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P4C422-15CMB 参数 Datasheet PDF下载

P4C422-15CMB图片预览
型号: P4C422-15CMB
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内容描述: HIGH SPEED 256 ×4的静态CMOS RAM [HIGH SPEED 256 x 4 STATIC CMOS RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 10 页 / 208 K
品牌: PYRAMID [ PYRAMID SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
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P4C422
AC CHARACTERISTICS—WRITE CYCLE
(V
CC
= 5V ± 10% except as noted, All Temperature Ranges)
(2)
Sym.
t
WC
t
ZWS
t
WR
t
W
t
WSD
t
WHD
t
WSA
t
WHA
t
WSCS
t
WHCS
Parameter
Write Cycle Time
(5)
Write Enable to High-Z
(6)
Write Recovery Time
Write Pulse Width
(5,7)
Data Setup Time Prior to Write
(5)
Data Hold Time
(5)
Address Setup Time
(5,7)
Address Hold Time
(5)
Chip Select Setup Time
(5)
Chip Select Hold Time
(5)
8
-10*
10
8
8
9
0
2
0
2
0
2
12
-12
15
10
10
11
0
2
0
4
0
2
-15
-20
20
-25
25
35
20
20
15
5
5
5
5
5
5
20
5
5
5
5
5
5
-35
Min Max Min Max Min Max Min Max Min Max Min Max
12
12
13
2
5
2
5
2
5
15
15
30
25
Unit
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
0
2
0
2
0
2
*V
CC
= 5V ± 5%
TIMING WAVEFORM OF WRITE CYCLE
Document #
SRAM101
REV. A
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