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    P3C1041-10TI 参数 Datasheet PDF下载

    P3C1041-10TI图片预览
    型号： P3C1041-10TI
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 高速256K ×16 （ 4 MEG ）静态CMOS RAM [HIGH SPEED 256K x 16 (4 MEG) STATIC CMOS RAM]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 10 页 / 291 K
    品牌： PYRAMID [ PYRAMID SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
     浏览型号P3C1041-10TI的Datasheet PDF文件第1页浏览型号P3C1041-10TI的Datasheet PDF文件第3页浏览型号P3C1041-10TI的Datasheet PDF文件第4页浏览型号P3C1041-10TI的Datasheet PDF文件第5页浏览型号P3C1041-10TI的Datasheet PDF文件第6页浏览型号P3C1041-10TI的Datasheet PDF文件第7页浏览型号P3C1041-10TI的Datasheet PDF文件第8页浏览型号P3C1041-10TI的Datasheet PDF文件第9页  
    P3C1041
    最大额定值
    (1)
    符号
    V
    CC
    参数
    电源引脚与
    对于GND
    与端电压
    对于GND
    工作温度
    价值
    -0.5到+4.6
    -0.5到
    V
    CC
    +0.5
    -55到+125
    单位
    V
    符号
    T
    BIAS
    T
    英镑
    I
    OUT
    参数
    高温下
    BIAS
    储存温度
    直流输出电流
    价值
    -55到+125
    -65到+150
    20
    单位
    °C
    °C
    mA
    V
    TERM
    T
    A
    V
    °C
    推荐工作
    温度和电源电压
    Grade(2)
    产业
    广告
    环境
    温度
    -40 ° C至+ 85°C
    0 ° C至+ 70°C
    GND
    0V
    0V
    V
    CC
    3.3V ± 0.3V
    3.3V ± 0.3V
    电容
    (4)
    V
    CC
    = 3.3V ，T
    A
    = 25 ° C，F = 1.0MHz的
    符号
    C
    IN
    C
    OUT
    参数
    输入电容
    典型的条件。单位
    V
    IN
    = 0V
    8
    8
    pF
    pF
    输出电容V
    OUT
    = 0V
    DC电气特性
    在推荐运行温度和电源电压
    (2)
    符号
    V
    IH
    V
    IL
    V
    OL
    V
    OH
    参数
    输入高电压
    输入低电压
    输出低电压
    （ TTL负载）
    输出高电压
    （ TTL负载）
    输入漏电流
    I
    OL
    = 8毫安，V
    CC
    =最小值。
    I
    OH
    = -4毫安，V
    CC
    =最小值。
    V
    CC
    =最大。
    V
    IN
    = GND到V
    CC
    V
    CC
    =最大，
    I
    LO
    输出漏电流
    CE
    = V
    IH
    ,
    V
    OUT
    = GND到V
    CC
    CE
    ≥
    V
    IH
    I
    SB
    备用电源
    V
    CC
    =最大，
    电流（ TTL电平输入）F =最大值，输出打开
    V
    IN
    ≥
    V
    IH
    或V
    IN
    ≤
    V
    IL
    CE
    ≥
    V
    CC
    - 0.2V
    I
    SB1
    备用电源
    当前
    （ CMOS输入电平）
    V
    CC
    =最大，
    F = 0时，输出打开
    V
    IN
    ≥
    V
    CC
    - 0.3V或
    V
    IN
    ≤
    0.3V
    ___
    10
    mA
    ___
    40
    mA
    -1
    +1
    µA
    2.4
    -1
    +1
    测试条件
    P3C1041
    单位
    民
    最大
    V
    CC
    +0.3 V
    2.0
    –0.3
    (3)
    0.8
    0.4
    V
    V
    V
    µA
    I
    LI
    文档＃
    SRAM130
    转或
    第10 2

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