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P3C1041-10TI 参数 Datasheet PDF下载

P3C1041-10TI图片预览
型号: P3C1041-10TI
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内容描述: 高速256K ×16 ( 4 MEG )静态CMOS RAM [HIGH SPEED 256K x 16 (4 MEG) STATIC CMOS RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 10 页 / 291 K
品牌: PYRAMID [ PYRAMID SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
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P3C1041
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入时序参考电平
输出时序参考电平
输出负载
GND到3.0V
3ns
1.5V
1.5V
参见图1和2
图1.输出负载
*包括范围和测试夹具。
注意:
因为P3C1041的超高速的,必须小心
测试时,该设备;不适当的设置可能会导致正常
功能部分被拒绝的错误。长高的电感引线
一定要避免使V的电源事业反弹
CC
接地层直接到接触手指。一个0.01μF高
V之间也需要频率电容器
CC
和地面。为了避免
图2.戴维南等效
信号反射,适当的终止必须使用;例如,一个50Ω
测试环境应终止为50Ω负载与1.73V
(戴维南电压)在比较器的输入,和一个116Ω电阻绝
可以使用串联的D
OUT
匹配166Ω (戴维南电阻) 。
真值表
模式
掉电
阅读所有位
阅读低位仅
阅读高位仅
写的所有位
写低位仅
写高位仅
选择输出禁用
CE
H
L
L
L
L
L
L
L
Ø ê宽E BLE BHE
X
L
L
L
X
X
X
H
X
H
H
H
L
L
L
H
X
L
L
H
L
L
H
X
X
L
H
L
L
H
L
X
I / O
0
- I / O
7
高Z
D
OUT
D
OUT
高Z
D
IN
D
IN
高Z
高Z
I / O
8
- I / O
15
高Z
D
OUT
高Z
D
OUT
D
IN
高Z
D
IN
高Z
动力
待机
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
文档#
SRAM130
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